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Das Medium wurde permanent auf 38 ºC temperiert, was in einer Temperatur von 32 ºC im Diffusionsbereich resultierte.
The medium was continuously heated to 38 º C, resulting in a temperature resulted of 32 º C in the diffusion region.
Anzeige nach Anspruch 1, worin die vorstehende Isolierschicht auf ihrer oberen Oberfläche einen fein uneinheitlichen Diffusionsbereich (9d) aufweist.
A display according to claim 1, wherein said projecting insulating layer has a finely uneven diffusion region (9d) at the upper surface thereof.
Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei welcher der Diffusionsbereich (2) keine darüberliegenden Schaltelemente aufweist.
Integrated circuit device according to one of the preceding claims, wherein the diffusion area (2) has no overlying circuit element.
Bildsensor nach Anspruch 4, worin jedes Transfer-Gate einen gleitenden Diffusionsbereich als Abtastknotenpunkt hat, der als Eingang mit einem in den CMOS Schaltkreisen ausgebildeten Signaltransistor verbunden ist.
The image sensor of claim 4 wherein each of the transfer gates has floating diffusion area as a sense node that is connected as an input to a signal transistor, the signal transistor formed in CMOS.
Referenzdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Leitfähigkeitstyp der P-Typ ist und der zweite Leitfähigkeitstyp der N-Typ ist. Referenzdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite tiefe Diffusionsbereich (21) eine Ringform hat.
The reference diode of claim 1, characterized in that the first conductivity type is P, and the second conductivity type is N. The reference diode of claim 1, characterized in that said second deep diffused region (21) is annular.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Diffusionsbereich (10) innerhalb des zweiten Diffusionsbereichs (7) ausgebildet ist und sich seitlich erstreckt, um den Oberflächen-Kontaktbereich (5) zu überlappen.
A device according to Claim 1, characterized in that the third diffused region (10) is formed within the second diffused region (7) and extends laterally to overlap the surface contact region (5).
Fotodiode nach Anspruch 1, wobei diese ferner einen metallischen elektrischen Kontakt (223) umfasst, der mit dem Diffusionsbereich verbunden ist.
The photodiode of claim 1 further comprising a metal electrical contact (223) connected to the diffusion region.
Schmelzsicherungsstruktur nach Anspruch 8, bei der der Diffusionsbereich (22) einen Emitter- oder Kollektorbereich eines Bipolartransistors umfaßt.
A fuse structure as claimed in claim 8, wherein said diffusion region (22) comprises an emitter or collector region of a bipolar transistor.
Halbleiterschaltung nach Anspruch 6, wobei die halbleitergesteuerte Gleichrichtervorrichtung ferner einen Bipolartransistor umfasst und der dritte Diffusionsbereich als ein Kollektor des Bipolartransistors einsetzbar ist.
Semiconductor device circuit according to claim 6,wherein the semiconductor controlled rectifier device further comprises an bipolar transistor and said third diffusion region is operable as a collector of said bipolar transistor.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Substratposition einen Diffusionsbereich aufweist und das Ätzen das Freilegen des Diffusionsbereichs (40) nach außen aufweist.
The method of claim 1, wherein the substrate location comprises a diffusion region, and the etching comprises outwardly exposing the diffusion region (40).
Einrichtung nach Anspruch 1, wobei der zweite Widerstand (68) einen Diffusionsbereich hohen Widerstandes des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist.
The device of claim 1, wherein the second resistor (68) comprises a high resistance diffusion region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type.
Speichereinrichtung nach Anspruch 16, wobei die zweite zusätzliche eingegrabene Diffusionsteitung einen eingegrabenen Diffusionsbereich des ersten Leitfähigkeitstyps für ein Steuergate umfaßt, und eine Isolationsstruktur umfaßt, welche die erste zusätzlich eingegrabene Diffusionsleitung gegenüber der zweiten zusätzlichen eingegrabenen Diffusionsleitung isoliert.
The memory device of claim 11, wherein the second additional buried diffusion line includes a control gate buried diffusion region of the first conductivity type, and including an isolation structure isolating the first additional buried diffusion line from the second additional buried diffusion line.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei die leitende Schicht (14) mit dem Diffusionsbereich (18) des Transistors durch eine Diffusionsschicht (16) elektrisch gekoppelt ist, die durch Ausdiffundieren von Störstellen auf der leitenden Schicht (14) gebildet wird.
The method according to claim 6, wherein said conductive layer (14) is electrically coupled to said diffusion region (18) of said transistor by a diffusion layer (16) formed by outdiffusing impurities from said conductive layer (14).
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