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The medium was continuously heated to 38 º C, resulting in a temperature resulted of 32 º C in the diffusion region.
Das Medium wurde permanent auf 38 ºC temperiert, was in einer Temperatur von 32 ºC im Diffusionsbereich resultierte.
A display according to claim 1, wherein said projecting insulating layer has a finely uneven diffusion region (9d) at the upper surface thereof.
Anzeige nach Anspruch 1, worin die vorstehende Isolierschicht auf ihrer oberen Oberfläche einen fein uneinheitlichen Diffusionsbereich (9d) aufweist.
A planar laser diode as claimed in claim 4, wherein said second multilayer structure (5) forms a mesa structure in correspondence to said optical path, said diffusion region (7) being formed to surround said mesa structure.
Planare Laserdiode nach Anspruch 4, bei der die zweite mehrschichtige Struktur (5) eine Mesastruktur in Entsprechung zu dem optischen Weg bildet, wobei die Diffusionszone (7) gebildet ist, um die Mesastruktur zu umgeben.
A method as claimed in claim 29 having the step of providing a deep diffusion region (504) of the first conductivity in the epitaxial layer (512) adjacent the body region (503) and the buried layer (501).
Verfahren nach Anspruch 29 mit dem Schritt des Bereitstellens einer tiefen Diffusionszone (504) des ersten Leitfähigkeitstyps in der Epitaxialschicht (512) neben der Körperzone (503) und der vergrabenen Schicht (501).
The integrated circuit of claim 1 or 2 wherein the transistors of adjacent memory cells share a common diffusion region.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, wobei sich die Transistoren von benachbarten Speicherzellen ein gemeinsames Diffusionsgebiet teilen.
The arrangement according to claim 1, wherein said first diffusion region (26) is a base (3) of a bipolar transistor and said first buried layer (12) is a collector (5) of said bipolar transistor.
Anordnung nach Anspruch 1, bei der das erste Diffusionsgebiet (26) eine Basis (3) eines Bipolartransistors und die erste vergrabene Schicht (12) ein Kollektor (5) des Bipolartransistors ist.
The photodiode of claim 1 further comprising a metal electrical contact (223) connected to the diffusion region.
Fotodiode nach Anspruch 1, wobei diese ferner einen metallischen elektrischen Kontakt (223) umfasst, der mit dem Diffusionsbereich verbunden ist.
A fuse structure as claimed in claim 8, wherein said diffusion region (22) comprises an emitter or collector region of a bipolar transistor.
Schmelzsicherungsstruktur nach Anspruch 8, bei der der Diffusionsbereich (22) einen Emitter- oder Kollektorbereich eines Bipolartransistors umfaßt.
Semiconductor device circuit according to claim 6,wherein the semiconductor controlled rectifier device further comprises an bipolar transistor and said third diffusion region is operable as a collector of said bipolar transistor.
Halbleiterschaltung nach Anspruch 6, wobei die halbleitergesteuerte Gleichrichtervorrichtung ferner einen Bipolartransistor umfasst und der dritte Diffusionsbereich als ein Kollektor des Bipolartransistors einsetzbar ist.
Semiconductor device circuit according to claim 6, wherein the semiconductor controlled rectifier device comprises a resistor and a part of said second diffusion region is operable as the resistor.
Halbleiterschaltung nach Anspruch 6, wobei die halbleitergesteuerte Gleichrichtervorrichtung einen Widerstand umfasst und ein Teil des zweiten Diffusionsbereichs als Widerstand einsetzbar ist.
The device of claim 1, wherein the second resistor (68) comprises a high resistance diffusion region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type.
Einrichtung nach Anspruch 1, wobei der zweite Widerstand (68) einen Diffusionsbereich hohen Widerstandes des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist.
The memory device of claim 11, wherein the second additional buried diffusion line includes a control gate buried diffusion region of the first conductivity type, and including an isolation structure isolating the first additional buried diffusion line from the second additional buried diffusion line.
Speichereinrichtung nach Anspruch 16, wobei die zweite zusätzliche eingegrabene Diffusionsteitung einen eingegrabenen Diffusionsbereich des ersten Leitfähigkeitstyps für ein Steuergate umfaßt, und eine Isolationsstruktur umfaßt, welche die erste zusätzlich eingegrabene Diffusionsleitung gegenüber der zweiten zusätzlichen eingegrabenen Diffusionsleitung isoliert.
The method according to claim 6, wherein said conductive layer (14) is electrically coupled to said diffusion region (18) of said transistor by a diffusion layer (16) formed by outdiffusing impurities from said conductive layer (14).
Verfahren nach Anspruch 6, wobei die leitende Schicht (14) mit dem Diffusionsbereich (18) des Transistors durch eine Diffusionsschicht (16) elektrisch gekoppelt ist, die durch Ausdiffundieren von Störstellen auf der leitenden Schicht (14) gebildet wird.
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