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diffusion step
diffusing step
Galvanisches Beschichten von Substraten gefolgt von einem Diffusionsschritt
Electroplating of substrates followed by a diffusion step
Der obige Diffusionsschritt wird vorzugsweise unter Bedingungen ausgeführt, die die Diffusion von Bor begünstigen, um die Diffusionsdauer so weit wie möglich zu begrenzen.
The above diffusion step is preferably carried out under conditions which favor the diffusion of boron so as to limit the diffusion time as much as possible.
Verfahren nach Anspruch 5, worin das Element, das in der Lage ist, diesen leitenden Typ zu kontrollieren, B ist. Verfahren nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, worin der Diffusionsschritt mittels thermischer Diffusion des Elements in dem Siliciumsubstrat (100) durchgeführt wird.
A method according to claim 5, wherein said element that is capable of controlling said conductive type is B. A method according to any preceding claim, wherein said diffusing step is performed by thermally diffusing said element in the silicon substrate (100).
Verfahren nach Anspruch 1, in dem der Diffusionsschritt das Erwärmen der Halbleiterschichten im MOVPE-Reaktor während der Überflutung mit einem magnesiumhaltigen Gas umfaßt.
A method as in claim 1, wherein said diffusing step comprises heating said semiconductor layers in the MOVPE reactor during said flowing of a magnesium-containing vapour.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Diffusionsschritt während der Kontraktion gemäß Schritt iii) stattfindet.
A method according to claim 1, characterized in that the diffusion step takes place during the contraction in accordance with step iii).
Prozeß nach einem der Ansprüche 10 bis 16, bei dem das Heizen in dem Diffusionsschritt gleichzeitig mit dem Heizen zum Verlöten des Kontakts ausgeführt wird.
A process according to one of claims 10 to 16, wherein heating in said diffusion step is carried out simultaneously during heating for soldering for the contact.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem der Schritt des Eintauchens nach dem Schritt des Aufbringens der Zinkschicht und vor dem Diffusionsschritt durchgeführt wird.
A method according to claim 13, wherein said immersing step is performed after said zinc layer applying step and before said diffusion step.
Das Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das erste bis vierte und das siebente Dotierungsmittel mittels Ionenimplantation eingebracht werden und nachträglich in das Silicium durch einen Diffusionsschritt eingetrieben werden.
The process of claim 1 wherein said first through said fourth and said seventh dopants are applied by ion implantation and are subsequently driven into said silicon by a diffusion step.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumscheiben (1) nach dem Diffusionsschritt auf der den Neutralfolie (2) zugewandten Seite der Siliziumscheiben durch läppen und polieren nachbearbeitet werden.
Process according to one of the preceding claims, characterized in that, after the diffusion step, the silicon wafers (1) are post-processed by lapping and polishing on that side of the silicon wafers which faces the neutral film (2).
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Diffusionsschritt weiterhin den folgenden Schritt beinhaltet: Beenden des Diffusionsschritts, um ein Isolationsgebiet innerhalb der Epitaxieschicht aufrechtzuerhalten.
A method as recited in claim 1, wherein said diffusion step further includes the step of terminating said diffusion step to maintain an isolation region within said epitaxial layer.
Prozeß nach Anspruch 10 oder 11, bei dem der Diffusionsschritt so ausgeführt wird, daß die Dicke der metallischen Beschichtungsschicht in dem nicht diffundierten Abschnitt, welcher an der Oberfläche des Kontaktsubstrats vorhanden ist, in dem Bereich von 0µm bis 5µm liegen kann.
A process according to claim 10 or 11, wherein said diffusion step is carried out so that the thickness of the metal coated layer at the undiffused portion existing on the surface of said contact substrate may be within the range of from 0 to 5 µm.
Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, bei dem die n-dotierten Gebiete (NG) mittels einer Hochenergie-Implantation von Phosphor und einen anschließenden thermischen Diffusionsschritt erzeugt werden.
Method according to Claim 9 or 10, in which the n-doped regions (NG) are produced by means of high-energy implantation of phosphorus, followed by a thermal diffusion step.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Diffusionsschritt eine Vielzahl von Siliziumscheiben (1) in einem Stapel zusammen mit Diffusionsfolien (2) und Neutralfolien (3) angeordnet werden.
Process according to Claim 1, characterized in that, during the diffusion steps, a multiplicity of silicon wafers (1) are arranged in a stack together with diffusion films (2) and neutral films (3).
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