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Diffusionsschritt
Electroplating of substrates followed by a diffusion step
Galvanisches Beschichten von Substraten gefolgt von einem Diffusionsschritt
The above diffusion step is preferably carried out under conditions which favor the diffusion of boron so as to limit the diffusion time as much as possible.
Der obige Diffusionsschritt wird vorzugsweise unter Bedingungen ausgeführt, die die Diffusion von Bor begünstigen, um die Diffusionsdauer so weit wie möglich zu begrenzen.
A method according to claim 2, characterized in that the heat treatment step is carried out at a temperature below the softening point of the substrate tube during the diffusion step.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wärmebehandlungsschritt bei einer Temperatur unter dem Erweichungspunkt des Substratrohrs während dies Diffusionsschritts durchgeführt wird.
A method according to claim 1, characterized in that the diffusion step takes place during the contraction in accordance with step iii).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Diffusionsschritt während der Kontraktion gemäß Schritt iii) stattfindet.
A process according to one of claims 10 to 16, wherein heating in said diffusion step is carried out simultaneously during heating for soldering for the contact.
Prozeß nach einem der Ansprüche 10 bis 16, bei dem das Heizen in dem Diffusionsschritt gleichzeitig mit dem Heizen zum Verlöten des Kontakts ausgeführt wird.
A method according to any one or more of the claims 1 - 5, characterized in that the interior of the substrate tube is washed with an oxygen-containing gas during the diffusion step.
Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Innere des Substratrohrs während des Diffusionsschritts mit einem sauerstoffhaltigen Gas gewaschen wird.
A method according to claim 13, wherein said immersing step is performed after said zinc layer applying step and before said diffusion step.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem der Schritt des Eintauchens nach dem Schritt des Aufbringens der Zinkschicht und vor dem Diffusionsschritt durchgeführt wird.
A method according to any one or more of the claims 2 - 3, characterized in that the substrate tube is kept under an internal pressure during the diffusion step so as to prevent the substrate tube from contracting.
Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Substratrohr während des Diffusionsschritts unter einem inneren Druck gehalten wird, um das Kontrahieren des Substratrohrs zu verhindern.
The process of claim 1 wherein said first through said fourth and said seventh dopants are applied by ion implantation and are subsequently driven into said silicon by a diffusion step.
Das Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das erste bis vierte und das siebente Dotierungsmittel mittels Ionenimplantation eingebracht werden und nachträglich in das Silicium durch einen Diffusionsschritt eingetrieben werden.
Process according to one of the preceding claims, characterized in that, after the diffusion step, the silicon wafers (1) are post-processed by lapping and polishing on that side of the silicon wafers which faces the neutral film (2).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumscheiben (1) nach dem Diffusionsschritt auf der den Neutralfolie (2) zugewandten Seite der Siliziumscheiben durch läppen und polieren nachbearbeitet werden.
A process according to claim 10 or 11, wherein said diffusion step is carried out so that the thickness of the metal coated layer at the undiffused portion existing on the surface of said contact substrate may be within the range of from 0 to 5 µm.
Prozeß nach Anspruch 10 oder 11, bei dem der Diffusionsschritt so ausgeführt wird, daß die Dicke der metallischen Beschichtungsschicht in dem nicht diffundierten Abschnitt, welcher an der Oberfläche des Kontaktsubstrats vorhanden ist, in dem Bereich von 0µm bis 5µm liegen kann.
Method according to Claim 9 or 10, in which the n-doped regions (NG) are produced by means of high-energy implantation of phosphorus, followed by a thermal diffusion step.
Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, bei dem die n-dotierten Gebiete (NG) mittels einer Hochenergie-Implantation von Phosphor und einen anschließenden thermischen Diffusionsschritt erzeugt werden.
Process for manufacturing a semiconductor device using a diffusion step involving a previous implantation step, and device made by that process.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung unter Verwendung einer Diffusion mit vorhergehender Implantation und nach diesem Verfahren hergestellte Anordnung.
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