Die EUV- Lithografie führt zu weiterer Miniaturisierung integrierter Schaltkreise.
EUV lithography produces further miniaturization in integrated circuits.
So lohnt sich die EUV- Lithografie nicht nur technisch, sondern ist auch wirtschaftlich ein voller Erfolg für Chiphersteller auf der ganzen Welt.
This makes EUV lithography not only a technical, but also a complete commercial success for chip manufacturers worldwide.
Außerdem wird, um während des Betriebs einer EUV- Lithographievorrichtung die Kontamination in der Gasphase innerhalb der Vakuumkammern zu überwachen, vorgeschlagen, Module vorzusehen, die Mittel zum Auslösen einer Gasentladung und Mittel zur Detektion von aufgrund der Gasentladung emittierter Strahlung aufweisen.
In order to monitor the contamination in the gas phase within the vacuum chamber during operation of an EUV lithography device, modules are provided with means for igniting a gas discharge and means for detecting radiation emitted due to the gas discharge.
Die vollständig integrierten Pump- und Abgasmanagementsysteme von Edwards sind bei der EUV- Lithographie-Herstellung von großem Nutzen.
Our fully integrated pump and abatement systems will bring significant benefits to EUV lithography manufacturing.
Ein derartiger Multilayer-Spiegel (1) kann insbesondere als heizbarer Kollektorspiegel einer EUV- Strahlungsquelle verwendet werden.
A multilayer mirror (1) of the aforementioned type can be used, in particular, as a heatable collector mirror of an EUV radiation source.
Für Fotomasken im Einsatz bei der hoch entwickelten 193i- und EUV- ("extreme ultraviolet") Lithografie erweist sich die Kombination von hochpräzisen megasonischen und nanobinären Sprühtechnologien mit verschiedenen Medien als eine sehr gute Methode mit extrem hohen Effizienzraten bei der Partikelentfernung.
For advanced 193i optical and EUV lithography reticles, a combination of high precision megasonic and nano binary spray processes with different type of media results in extremely good particle removal efficiency rates.
Bevorzugtes Anwendungsgebiete sind solche die extreme Ultraviolett- (EUV-) Strahlung oder weiche Röntgenstrahlung im Wellenlängenbereich von ca. 1-20 nm benötigen, und insbesondere um 13 nm, wie zum Beispiel die EUV-Lithografie.
The inventive device is especially useful for applications which require extreme ultraviolet (EUV) radiation or soft X radiation in the wavelength range of from about 1-20 nm, and especially about 13 nm, for example for EUV lithography.
Die starke Wechselwirkung mit Materie und die kurzen Wellenlängen von EUV- und weicher Röntgenstrahlung eröffnen die Perspektive auf neue Analyse und Strukturierungsverfahren in kompakten Systemen auf der Nanometerskala.
Since the material and the short wavelengths of EUV and soft X-ray radiation interact so strongly, research has opened up new analysis and structuring processes in compact systems on the nanometer scale.
Daher müssen für die Strahlführung und Strahlformung von EUV- und Röntgenstrahlung spezielle Multilayerspiegel verwendet werden, die höchsten Anforderungen im Monolagenbereich bei der Beschichtung genügen müssen.
Therefore, special multilayer mirrors have to be used for the beam guidance and beamforming of EUV and X-ray radiation, which must meet the stringent requirements in the coating of the monolayer area.
Dabei sind vor allem die EUV- und Röntgenstrahlungsbereiche zu nennen, die aufgrund ihrer kurzen Wellenlängen von 1 - 50 nm besondere Eigenschaften aufweisen und neue Applikationen ermöglichen.
Due to their short wavelengths of 1 to 50 nm, the EUV and X-ray radiation range, for example, has special properties that make innovative applications possible.
Zur Erzielung optimaler Reflektivität auf optischen Elementen für den EUV- und weichen Röntgenwellenlängebereich werden aus einer Mehrzahl von Schichten aufgebaute Multilayer eingesetzt.
In order to obtain optimal reflectivity on optical elements for the EUV and the soft X-ray range, multilayers constructed of a number of layers are used.
Hervorzuheben sind hochreflektierende Schichtsysteme für Optiken im EUV- und im Röntgenbereich sowie die Funktionalisierung von Kunststoffoberflächen.
Especially significant are ultra-reflective coating systems for optics in the EUV and X-ray range as well as the functionalization of plastic surfaces.
Optisches Element für Strahlung im EUV- und/oder weichen Röntgenwellenlängenbereich und ein optisches System mit mindestens einem optischen Element
Optical element for radiation in the EUV and/or soft X-ray wavelength range and an optical system comprising at least one optical element
