Vertaling van "MOS-Gate" in Engels
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Treiber nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der MOS-Gate-Transistor mit einer nicht ohmschen, nicht induktiven Last in Reihe geschaltet ist, wobei der Auffrisch-MOSFET eingeschaltet wird, wenn die MOS-Gate-Vorrichtung ausgeschaltet wird, wodurch die an der Last anliegende Ladung durch den Auffrisch-MOSFET entladen wird.
The driver of claim 2, characterized by said MOSgated transistor being connected in series with a non-resistive, non-induction load; said refresh MOSFET being turned on when said MOSgated device is turned off, whereby the charge on said load, is discharged through said refresh MOSFET.
MOS-Transistoren mit polysilizium-Gate-Elektrode die in der Saurce-Drain-Richtung nicht gleichmässig dotiert ist.
Metal oxide semiconductor transistors having a polysilicon gate electrode with nonuniform doping in source-drain direction.
Eine weitere Verbesserung bringt ein Kondensator mit 47nF (10-100nF) zwischen dem Gate des MOS-FETs und Masse.
Another improvement can be achieved by putting a capacitor of 47nF (10-100nF) between GATE of the MOSFET and ground.
Beim Photo-MOS-Relais erzeugt das Licht einer Leutdiode (LED) eine Spannung in einer Solarzelle, die das Gate eines bidirektionlaen MOS-FET durchsteuert.
In a PhotoMOS relay, the light emitted by an LED generates a voltage in a solar cell, which in turn saturates the gate of a bi-directional MOSFET.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht mit einer relativ schwachen n-Typ-Dotierungskonzentration versehen wird, wobei das Gebiet der Halbleiterschicht, das das Gate des p-Kanal-MOS-Transistors bildet, neu dotiert wird, indem man ihm eine p-Typ-Dotierung gibt.
A method as claimed in claim 1 or 2, characterized in that the semiconductor layer is provided with a relatively weak n-type dopant concentration, with the portion of the semiconductor layer which forms the gate of the p-channel MOST being redoped by giving it a p-type doping.
Halbleiterspeicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, daß die Speicherzellentransistoren (34) und Referenzzellentransistoren (44a - 44c) einen Floating-Gate-MOS-Transistor umfassen.
Halbleiter-Baustein nach Anspruch 7, bei dem die Gesamtsumme der Gate-Kapazität des MOS-Feldeffekttransistors (400,407) der Rückstelleinrichtung (207) annähernd den zweifachen Wert der Gate-Kapazität der Halbleiterstruktur aufweist.
A semiconductor device as set forth in claim 7, wherein the sum total of the gate capacity of the MOSFET (400,407) of said resetting means (207) is almost twice the gate capacity of said structure.
Ein Vorspannungsgenerator gemäß Anspruch 1, der ferner dadurch gekennzeichnet ist, daß das zweite Spannungsanlegemittel die Gate-Klemme des ersten P-MOS-Transistors (402) an das Bezugspotential (V ss) legt, wenn das erste Taktsignal im zweiten Zustand steht.
A bias generator according to claim 1, further characterised in that said second voltage application means couples the gate terminal of said first PMOS transistor (402) to said reference potential (V SS) when said first clock signal is in its second state.
eine zweite Halbleiterregion eines zweiten Leitfähigkeitstyps (n), wobei die zweite Halbleiterregion das Gate (201) des besagten MOS-Transistors ist
a second semiconductor layer (12) of a second conductivity type (n) which is in contact with said first semiconductor layer (11)
Bei einem Leistungs-MOS-Bauelement mit Source, Drain, Gate und einem durch das Gate gesteuerten Kanal wird der Kanal durch Säulen (5) gebildet, deren Querschnitt so klein ist, dass die Säulen (5) bezüglich ihrer Ladungsträgerkonzentration vollständig verarmt sind.
Channel is formed by pillars (5). Diameter of pillars (5) is so small that their charge carrier concentration is fully depleted.
Halbleiter-Baustein nach Anspruch 7, bei dem die Gesamtsumme der Gate-Kapazität des MOS-Feldeffekttransistors (400,407) der Rückstelleinrichtung (207) annähernd den zweifachen Wert der Gate-Kapazität der Halbleiterstruktur aufweist.
A semiconductor device as set forth in claim 7, wherein the sum total of the gate capacity of the MOSFET (400,407) of said resetting means (207) is almost twice the gate capacity of said structure.
