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Source-Drain-Region
Examples with "Source-Drain-Region" and their translation in Engels
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 11, wobei der Schritt Implantieren von Dotiermittel zum Ausbilden der Source-Drain-Region in zwei Stufen durchgeführt wird, wobei die zweite Stufe bei einer niedrigeren Dosierung als die erste Stufe durchgeführt wird, so daß die Source-Drain-Regionen doppelt diffundiert sind.
A method according to any of claims 2 to 11 in which the step of implanting dopant to form the source/drain regions is performed in two stages, the second stage at a lower dosage than the first stage so that the source/drain regions are double-diffused.
Andere resultaten
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 15, ferner mit dem Schritt des Ausbildens von Source- und Drain-Regionen an ausgewählten Stellen der Substratfläche.
A method as claimed in any one of claims 3 to 15, further comprising forming source and drain regions at selected locations of the substrate surface.
Das Bauelement nach Anspruch 1, wobei die Breite der dotierten Region in Richtung parallel zu den verlängerten Source- und Drain-Regionen innerhalb des Bereichs von 40-70 % der Länge des Gate-Fingers liegt.
The device of claim 1 wherein the doped region width in the direction parallel to the elongated source and drain regions is substantially within the range of 40-70% of the gate finger length.
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß ein Implantationsvorgang, welcher darauf gerichtet ist, die Source- und die Drain-Region (4 und 5) zu bilden, eingesetzt wird, um den Implantationsschritt durchzuführen.
Transistorschaltung nach Anspruch 1, bei der die symmetrische Schaltung eine Schaltung zum Einprägen einer Wechselspannung (über E, F, G) zwischen den Anschlüssen der Transistoreinrichtung enthält, um die Source-Region und die Drain-Region der Einrichtung zu wechseln.
A transistor circuit according to Claim 1 wherein said balanced circuit further comprises a circuit for impressing an alternating voltage (via E, F, G) between terminals of said transistor device to alternate a source region and a drain region of said device. 6.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Source- und Drain-Regionen der ersten und zweiten Dünnschichttransistoren (TFT1, TFT2, TFT3) Nickel-Silicide umfassen.
A semiconductor device according to claim 1, wherein the source and drain regions of the first and second thin film transistors (TFT1, TFT2, TFT3) comprise nickel silicide.
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Synoniemen voor Source-Drain-Region in het Duits
Resultaten: 6. Exact: 1. Verstreken tijd: 285 ms.
