Verfahren zur Herstellung eines Transistors und Transistor.
Herstellungsverfahren eines Transistors mit metallischem Gatter und entsprechender Transistor
Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen organischen Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode bzw. ein Verfahren zur Herstellung dieses organischen Transistors.
The invention especially relates to an organic transistor comprising a self-adjusting gate electrode and a method for producing said organic transistor.
Die Stromquelle stellt den Steuerstrom des Transistors während des Ladens derart ein, dass der Transistor außerhalb seiner Sättigung betrieben wird.
The current source adjusts the control current of the transistor during the charging such that the transistor is operated beyond its saturation.
Transistor Sockel ermöglichen ein einfaches Einsetzen und Herausziehen von Transistoren, die eine Beschädigung der Transistoren und der Leiterplatte verhindern.
Transistor sockets allow for easy insertion and extraction of transistors which prevent damage to the transistors and thee circuit board.
Neben Leitungen für Licht bräuchte so ein optischer Computer Transistoren, bei denen der Lichtstrom mit Hilfe eines anderen Lichtstromes gesteuert werden könnte, also ein Analogon zu einem elektronischen Transistor.
But apart from light guides, such an optical computer would need optical transistors in which one light current can control another one, in analogy to the electronic transistor.
Es wird ein Transistor bereitgestellt, der in vorteilhafter Weise einen Teil der Fläche, die bei herkömmlichen Transistoren für die Isolation zwischen den Transistoren vorgesehen ist, nutzt.
The invention relates to a transistor that advantageously uses a portion of the surface, which is provided in conventional transistors for insulating the transistors.
Anschaulich wird nach Herstellen der zackenförmigen Struktur ein Floating Gate- Transistor gebildet, wobei die zackenförmigen Struktur über dem zu bildenden Kanalbereich des Transistors angeordnet ist.
Clearly, a floating gate transistor is formed by forming the serrated structure, the jagged structure to above the channel forming region of the transistor is arranged.
Der erfindungsgemäße Transistor ist dadurch gekennzeichnet, daß die Breite des Kanalbereichs größer als das zweifache der minimalen Strukturgröße des für die Herstellung des Transistors verwendeten Herstellungsverfahren ist und in dem Gatedielektrikum Fremdatome aus der Gruppe der Halogene vorgesehen sind.
The inventive transistor is characterized in that the width of the channel area is larger than double the minimum structural size of the production method used for producing the transistor, and impurity atoms from the group of halogens are provided in the gate dielectric.
Schaltkreis gemäß Anspruch 3, wobei der erste, zweite, dritte und vierte Transistor zueinander passende Transistoren sind.
A circuit according to claim 3, wherein the first, second, third and fourth transistors are matching transistors.
Die Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, wobei der dritte Transistor in entgegengesetzter Phase zu der des ersten und zweiten Transistors arbeitet.
The semiconductor memory device according to claim 2, wherein said third transistor operates in the opposite phase from that of said first and second transistors.
Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei der erste Transistor eine Kanallänge hat, die kürzer ist als diejenige des zweiten Transistors.
A semiconductor device claimed in claim 2, wherein said first transistor has a channel length shorter than that of said second transistor.
Anordnung gemäß Anspruch 4, des weiteren dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Transistor (52) einen kleineren Gegenwirkleitwert hat als die Vielzahl der ersten Transistoren.
A device according to claim 4, further characterized in that said another transistor (52) is smaller in transconductance than said plurality of first transistors.
