Die Erfindung befaßt sich weiter mit der Herstellung eines solchen Transistors.
The invention furthermore deals with the manufacture of such a transistor.
Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors mit Gebieten mit engen Abständen.
Method of forming a bipolar transistor having closely spaced device regions.
Einrichtung und Verfahren thermischen Messung eines bipolaren Transistors im Betrieb.
Device and method for thermical measuring of a bipolar transistor under operation.
Ferner ist der Emitter des dritten Transistors mit Masse verbunden.
In addition, the emitter of the third transistor is connected to ground.
Die Erfindung des Transistors leitete eine neue Ära ein.
The invention of the transistor introduced a new era.
Die Leitfähigkeit eines Transistors kann mittels eines Steuerstroms geändert werden.
The conductibility of a transistor can be changed using a control circuit.
Für Einzelpulse bei maximaler Aufsteuerung des Transistors sind höhere Werte zulässig.
Higher values are permissible for single pulses at maximum biasing of the transistor.
Herkömmliche Designs erfordern häufig die Montage eines Transistors an einem speziellen Kühlkörper.
Traditional designs often require the mounting of a transistor to a dedicated heatsink.
Verfahren zum Herstellen eines hochwertigen bipolaren Transistors in einer integrierten Schaltung.
Method for making a high performance bipolar transistor in an integrated circuit.
Den Schaltzustand eines Transistors zu ändern benötigt immer etwas Zeit.
Changing the state of a transistor always takes some time.
Mit einer derartigen Schaltung läßt sich die Sättigung dieses ersten Transistors verhindern.
The saturation of said first transistor can be prevented with such a circuit.
Er beschrieb eine Schaltung, die die Verstärkung eines einzelnen Transistors deutlich vergrößerte.
He described a circuit which magnified the gain of a single transistor significantly.
Zur Ansteuerung des ersten und zweiten Transistors ist eine Steuerspannungsquelle vorgesehen.
A control voltage source is provided for driving the first and second transistor.
