Examples with "einen diffundierte" and their translation in Engels
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Die Vorrichtung hatte sowohl eine Drei-Phasen Metalllegierung als auch einen diffundierte Ein- und Ausgang um zu beweisen, dass sie als serieller Speicher betrieben werden konnte, welches die ursprüngliche Idee hinter der Erfindung war.
The device had a three-phase metallization as well as a diffused input and output proving that it could be operated as a serial memory which was the original idea behind the invention.
Andere resultaten
Verfahren zur Vorbereitung eines diffundierten Siliziumsubstrates.
Method of preparing a diffused silicon device substrate.
Stromgenerator nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Impedanz einen diffundierten Widerstand umfasst.
A current generator as claimed in any one of the preceding claims, wherein the impedance comprises a diffused resistor.
Auf der nördlichen Halbkugel von Norden ausgehendes Licht, dem eine diffundierte und gleichmäßige Qualität zugesprochen.
In the northern hemisphere light emanating from the north is considered to have a diffused and even quality.
Verfahren zur Herstellung einer diffundierten Schicht auf der Unterseite eines mittels einer Dickoxidschicht verbundenen Wafers
Method for making a diffused back-side layer on a bonded-wafer with a thick bond oxide
Heute ist die populärste Methode für die Erstellung einer Halbleiter-Sperrschicht die Formung einer oxidierten Schicht auf einem Siliziumträger, durch Öffnung von Löchern an den erforderlichen Stellen und die anschließende Einführung von Unreinheiten in die Löcher für eine diffundierte Sperrschicht.
Planar Type Today, the most popular method for creating a semiconductor junction is forming an oxidized layer on a silicon substrate, opening holes in the required locations, and then introducing impurities into the holes for a diffused junction.
Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Zonen der Transistoren mit schwebendem Gate einer gleichen Zeile von einer diffundierten halbleitenden Zeile gebildet sind, die auch die Drain-Zone des Wähltransistors bildet.
A memory according to claim 1, characterized in that the sources of the floating gate transistors of a common line are formed of a diffused semiconductive line also forming the drain of the selection transistor.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei der der Drucksensor (C) in der Form eines Druckwandlers nach Art eines diffundierten Halbleiters vorgesehen ist.
The device according to any one of claims 1 to 10, wherein said pressure sensor (C) is provided in the form of a diffused semiconductor type pressure transducer.
Verfahren nach Anspruch 2, bei welchem ferner der vergrabene seitliche Kontakt durch Bilden einer diffundierten Zone (218) in dem Substrat erzeugt wird, indem Dotierungsatome aus der ersten leitenden Schicht durch das leitende Material in das Substrat diffundiert werden.
The process of claim 2, further comprising forming the buried lateral contact by forming a diffused region (218) in said substrate by diffusing dopant atoms from said first conductive layer, through said conductive material into said substrate.
Ventil nach Anspruch 1, wobei die Sitzfläche in dem Ventilsitz aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus einer elektrolytischen Beschichtung, einer diffundierten Beschichtung, einer HVOF-Beschichtung und einer Spritz- und Schmelzbeschichtung besteht.
The valve as defined in claim 1, wherein the seating surface in the valve seat is selected from a group consisting of an electrolytic coating, a diffused coating, an HVOF coating, and a spray and fused coating.
HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES DIFFUNDIERTEN EMITTER BIPOLAR TRANSISTORS
PROCESS FOR FABRICATING A DIFFUSED EMITTER BIPOLAR TRANSISTOR
Speicherzelle nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen dritten Diffusionsbereich (12), der in dem Substrat (10) ausgebildet ist und eine diffundierte Bit-Leitung aufweist.
Storage cell in accordance with claim 3, characterized by a third diffusion region (12) formed in said substrate (10) and comprising a diffused bit line.
Ein Schaltungselement gemäß Anspruch 3, bei dem das optische Schaltungselement eine diffundierte Region (56), die an die Oberfläche des Substrats (52) angrenzt, aufweist.
A circuit element as in claim 3 wherein the optical circuit element comprises a diffused region (56) adjacent the surface of the substrate (52).
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