Semiconductor component mounted in a plastic housing, and method for its manufacture.
Semiconductor component with at least one or several semiconductor bodies.
Semiconductor component with plastic housing, and process for producing the same
Semiconductor component and method of operation
Semiconductor component as claimed in one of claims 1 to 5: characterized by an insulating zone (10) for shielding charge carriers from the edge zone.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch eine Isolierzone (10) zur Abschirmung von Ladungsträgern von der Randzone.
Semiconductor component mounted on a ceramic substrate.
Halbleiterbauelement, befestigt an einem keramischen Substrat.
Semiconductor component with at least a capacitor having a resistance element and its fabrication process
Halbleiterbauelement mit zumindest einem Widerstandselement aufweisenden Kondensator sowie Verfahren zu dessen Herstellung
Semiconductor component with electrostatic discharge protection structure
Halbleiterbauelement mit Schutzstruktur zum Schutz vor elektrostatischer Entladung
Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, characterized in that the group having at least one free pair of electrons has oxygen, nitrogen, sulfur and/or phosphorus.
Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gruppe mit mindestens einem freien Elektronenpaar Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel und/ oder Phosphor aufweist.
Semiconductor component according to at least one of the preceding claims, characterized in that the compound is formed essentially in linear fashion or has a long axis in comparison with other groups of the compound.
Halbleiterbauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung im Wesentlichen linear ausgebildet ist oder eine im Vergleich zu anderen Gruppen der Verbindung lange Achse aufweist.
Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the conductive layer (120) is a silicide layer.
Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Schicht (120) eine Silizidschicht ist.
Semiconductor component according to claim 7, characterised thereby that fixed positive charges are formed by implantation of positive ions.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die festen positiven Ladungen durch die Implantation von positiven Ionen bereitgestellt werden.
Semiconductor component according to one of claims 1 to 7, characterised thereby that the fixed charges are produced by a non-stoichiometric composition of the dielectric layer.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet , daß die festen Ladungen durch eine nicht-stöchiometrische Zusammensetzung der dielektrischen Schicht hervorgerufen werden.