Target apparatus as claimed in any one of claims 1 to 9), characterized in that each sector line (12₁ to ₈, 47₁ to ₈) is connected with a thyristor (22) or operation amplifier, preferably with an anode gate.
Zielscheibenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass jede Sektorleitung (12 1bis8 , 47 1 bis 8) mit einem Thyristor (22) oder Operationsverstärker, vorzugsweise mit Anodengate, verbunden ist.
The circuit of claim 1, characterized in that said resistor (R) is connected between the anode gate and the cathode gate of the thyristor.
Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand (R) zwischen dem Anoden-Gate und dem Kathoden-Gate des Thyristors verbunden ist.
Andere resultaten
The component of claim 1 or 2, further ensuring a protective function against overcurrents, in which the gates of the cathode-gate and anode-gate thyristors are interconnected and connected to a second terminal of the line to be protected (L1B).
Komponente nach Anspruch 1 oder 2, wobei ferner zur weiteren Sicherstellung einer Schutzfunktion gegenüber überströmen, die Gates der Kathoden-Gate- und Anoden-Gate-Thyristoren miteinander verbunden sind, und ferner verbunden sind mit einem zweiten Anschluss der zu schützenden Leitung (L1B).
A shorted anode type gate turn-off thyristor and a process of manufacturing thyristors of this type.
Segmented-anode lateral insulated-gate bipolar transistor devices.
Turn-off thyristor with an anode-sided gate.
blocking diode thyristor, N-gate (anode controlled)
The semiconductor device of claim 1, wherein the P region forms the anode or the gate of a thyristor.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher der genannte P-Bereich die Anode oder das Gate eines Thyristors bildet.
The electronic component has a positive terminal (anode) a gate and a negative terminal (cathode).
Das elektronische Bauteil hat eine positive Klemme (Anode), ein Gate und eine negative Klemme (Kathode).
There is no extra power supply needed, because the gate-current derives from the thyristor anode The integrated gate-current control circuit allows twisted gate leads up to 1m The compact design allows saving space layout of the PCBs
A multi-series inverter arrangement according to claim 3, wherein said detecting means (30, 31) determines a tendency of an incomplete on phenomenon at the corresponding switching element when a predetermined voltage between the anode and gate of the corresponding switching element is detected.
Multiserielle Wechselrichter-Anordnung nach Anspruch 3, bei der die besagte Detektorvorrichtung (30, 31) die Tendenz zur Unvollständigkeit bei dem entsprechenden Schaltelement feststellt, wenn eine vorgegebene Spannung zwischen Anode und Gate des entsprechenden Schaltelements erfaßt wird.
The modification further includes the addition of a diode D1 connected at the anode thereof to the gate of transistor Q300A and connected at the cathode thereof to the drain of transistor Q300A.
Ferner umfasst die Änderung die Hinzufügung einer Diode D1, die an ihrer Anode mit dem Gate des Transistors Q300A und an ihrer Katode mit dem Drain des Transistors Q300A verbunden ist.
The device of claim 1, characterized in that the breakover device is a thyristor (Th) having its gate and anode connected through a zener diode (Z).
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsvorrichtung ein Thyristor (Th) ist, dessen Gate und Anode über eine Zehnerdiode (Z) verbunden sind.