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Bor-Diffusion
Diffusion von Bor
However, the previously used boron diffusion from the gas phase is a relatively expensive and difficult-to-control process step; it requires a vacuum, high temperatures and a long process time.
Die bisher eingesetzte Bor-Diffusion aus der Gasphase ist allerdings ein vergleichsweise teurer und schwierig zu kontrollierender Prozessschritt; sie erfordert Vakuum, hohe Temperatur und lange Prozesszeit.
Method of boron diffusion into semiconductor wafers.
The bifaciality requires an additional p-doping profile that is usually produced by boron diffusion.
Die Bifazialität erfordert ein zusätzliches p-Dotierprofil, dieses wird üblicherweise durch eine Bor-Diffusion erzeugt.
The most decisive step in our process was the boron diffusion; it marked the difference to the standard solar cell process and it also represented the major challenge.
Der entscheidendste Schritt in unserem Prozess ist die Bor-Diffusion. Er ist der Hauptunterschied zum Standard-Solarzellen-Prozess und auch die größte Herausforderung.
"These remarkable results are obtained using the same industry-compatible equipment [that is used] to produce bifacial p-PERC cells, with the addition of a boron diffusion." Advantage n-PERT
Dieses bemerkenswerte Ergebnis konnte mit dem gleichen, industriekompatiblen Equipment erreicht werden, mit dem bifaziale p-PERC-Zellen produziert werden - mit dem Zusatz einer Bor-Diffusion , erklärt Loic Tous, Projektleiter bei Imec/Energyville.
Method of preventing boron diffusion in a semiconductor structure by creating nitrogen barriers and the corresponding structure
Verfahren zum Unterbinden der Diffusion von Bor in einer Halbleiterstruktur mittels Erzeugung von Barrieren aus Stickstoff sowie die zugehörige Struktur
Efficiencies above 25% have been achieved with n-type silicon only in combination with boron diffusion or heterojunctions of amorphous silicon.
Wirkungsgrade über 25 Prozent seien bei n-Typ-Silizium jedoch nur in Kombination mit Bordiffusionen oder Heterojunctions aus amorphem Silizium erreicht worden.
Method, according to claim 1, wherein the step of forming the (P+) conductive diaphragm layer (152) further includes the step of: heavy boron diffusion doping using solid source BN.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Ausbildens der (P+-) leitfähigen Membranschicht (152) ferner den Schritt aufweist: starkes Dotieren durch Diffusion von Bor unter Verwendung der Feststoffquelle (BN).
IMPROVED PARTIAL VACUUM BORON DIFFUSION PROCESS.
VERBESSERTES VERFAHREN ZUR DIFFUSION VON BOR IM TEILVAKUUM.
These remarkable results are obtained using the same industry-compatible equipment to produce bifacial p-PERC cells, with the addition of a boron diffusion.
Diese bemerkenswerten Ergebnisse werden mit den gleichen industriekompatiblen Anlagen zur Herstellung von bifazialen p-PERC-Zellen in Kombination mit einer Bor-Diffusion erzielt.
Method as defined in claim 17, wherein said step of diffusing said substrate (14) comprises performing a boron diffusion using a solid source boron diffusion at a temperature between 1100ºC and 1200ºC.
Verfahren nach Anspruch 17, wobei im Rahmen der Diffusion des Substrats (14) eine Bordiffusion mittels einer Festbordiffusionsquelle bei einer Temperatur zwischen 1100ºC und 1200ºC erfolgt.
BORON DIFFUSION BARRIER LAYER AND ITS USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION
Method of preventing boron diffusion in a semiconductor structure by creating nitrogen barriers and the corresponding structure
Verfahren zum Unterbinden der Diffusion von Bor in einer Halbleiterstruktur mittels Erzeugung von Barrieren aus Stickstoff sowie die zugehörige Struktur
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