Examples with "display gate patterns" and their translation in Duits
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A device as in Claim 14 wherein the output control voltage is provided to the display gate electrode.
Bauelement nach Anspruch 14, bei dem die Ausgangssteuerspannung an die Display-Steuerelektrode angelegt wird.
A method of manufacturing a semiconductor memory device as claimed in claim 3, further characterised in that ions of the first conductivity type are implanted into the substrate (21), using the gate pattern as a mask.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Speichervorrichtung nach Anspruch 3, außerdem dadurch gekennzeichnet, daß Ionen des ersten Leitfähigkeitstyps in das Substrat (21) unter Verwendung des Gate-Musters als eine Maske implantiert werden.
The display of claim 4 or 14 in which said gate lines comprise conductive material in said first layer thereof coplanar with said gate metal, and said second layer conductive material being coplanar with said source and drain patterns.
Anzeige nach Anspruch 4 oder 14, wobei die Gate-Leitungen leitfähiges Material in ihrer ersten Schicht koplanar mit dem Gate-Metall aufweisen und das leitfähige Material der zweiten Schicht koplanar mit den Source- und Drain-Mustern ist.
A liquid crystal display device according to any of claims 7 to 13 wherein said source and drain electrodes are contiguous to said light-blocking layer and said light-blocking layer, semiconductor layer, gate insulating film and gate electrode have the same pattern.
Flüssigkristallenzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 13, bei welcher die Source- und Drain-Elektroden stetig übergehend in die Lichtabschirmschicht ausgebildet sind, und die Lichtabschirmschicht, die Halbleiterschicht, der Gate-Isolierfilm und die Gate-Elektrode dasselbe Muster aufweisen.
A CMOS integrated circuit according to claim 5 wherein the ratio of width to length of the gate pattern of the N channel element is smaller than that of the gate pattern of the P channel element.
Integrierte CMOS-Schaltung nach Anspruch 5, wobei das Verhältnis von Breite zu Länge des Tormusters des N-Kanal-Elementes kleiner ist als jenes des Tormusters des P-Kanal-Elementes.
Display device according to claim 11, wherein the taper angle θg of the gate electrode is in the range of 0.5-3 times (where θg is less than 90º) the taper angle θs at the end portion of the semiconductor pattern.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, bei welcher der Abschrägungswinkel θg der Gateelektrode im Bereich vom 0,5-Fachen bis zum 3-Fachen des Abschrägungswinkels θs am Endbereich des Halbleiter-Bildmusters ist (wobei θg kleiner als 90º ist).
A harmonics suppression control circuit as set forth in claim 1 characterized in that phase reference generator means (14) delivers a reference phase to the harmonic component computation means (17) and to the gate pattern generator means (15).
Steuerschaltung zur Unterdrückung von Oberwellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß eine Phasenbezugswert-Erzeugervorrichtung (14) eine Bezugsphase an die Oberwellenkomponenten-Rechenvorrichtung (17) und die Gatemuster-Erzeugervorrichtung (15) liefert.
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