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The method according to any preceding claim, wherein said second diffusion region is substantially wider than said first diffusion region.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Diffusionsbereich im Wesentlichen breiter als die erste Diffusionsbereich ist.
A semiconductor memory, as recited in claim 7 further comprising a plurality of amplifier transistors disposed in the amplifier region, the amplifier transistors sharing the first diffusion region with the driver.
Halbleiterspeicher, wie in Anspruch 7 vorgetragen, ferner umfassend eine Vielzahl von Verstärkertransistoren, die in der Verstärkerregion aufgestellt sind, wobei die Verstärkertransistoren die erste Diffusionsregion mit dem Treiber gemeinsam nutzen.
The semiconductor apparatus as claimed in any preceding claim, wherein said first diffusion region (17), said second diffusion region (15), and said third diffusion region (19) are single-layered diffusion regions having a second conductivity type.
Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei der erste Diffusionsbereich (17), der zweite Diffusionsbereich (15) und der dritte Diffusionsbereich (19) einlagige Diffusionsbereiche eines zweiten Leitfähigkeitstyps sind.
The arrangement according to claim 1, wherein said first diffusion region (26) is a base (3) of a bipolar transistor and said first buried layer (12) is a collector (5) of said bipolar transistor.
Anordnung nach Anspruch 1, bei der das erste Diffusionsgebiet (26) eine Basis (3) eines Bipolartransistors und die erste vergrabene Schicht (12) ein Kollektor (5) des Bipolartransistors ist.
Semiconductor device circuit according to claim 1, wherein the first protection circuit (88.126) further comprises a control gate electrode formed on said first diffusion region (90,158) between said second diffusion region (92,160) and said third diffusion region (94,162).
Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, wobei die erste Schutzschaltung (88.126) ferner eine Steuergateelektrode umfasst, die in dem ersten Diffusionsbereich (90,158) zwischen dem zweiten Diffusionsbereich (92,160) und dem dritten Diffusionsbereich (94,162) ausgebildet ist.
A gate array LSI according to either one of claims 1 or 2 wherein the first diffusion region (1) is of a first conduction type and the second diffusion region (2) is of a second diffusion type.
Gate-Array-LSI nach Anspruch 1, bei der der erste Diffusionsbereich (1) von einem ersten Leitungstyp und der zweite Diffusionsbereich (2) von einem zweiten Diffusionstyp ist.
RAM-cell as set forth in claim 1, characterized in that the storage capacitor's (16) conductive plate (18) is separated from said first diffusion region (20) by an insulating medium (30).
Dynamische Speicherzelle gemäß Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Belag (18) des Speicherkondensators (16) von besagter erster Diffusionszone (20) durch eine isolierende Lage (30) getrennt ist.
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Synoniemen voor first diffusion region in het Engels