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of the memory cell array
Vertaling van "of the memory cell array" in Duits
des Speicherzellenfeldes
der Speicherzellenanordnung
Firstly, it is advantageous if data signals are involved various word lines of the memory cell array in the parity check.
Zum einen ist vorteilhaft, wenn Datensignale von verschiedenen Wortleitungen des Speicherzellenfeldes in die Paritätsüberprüfung miteinbezogen werden.
The non-volatile semiconductor device according to claim 10, wherein each reprogramming and retrieval circuit is selectively connected to a plurality of bit lines of the memory cell array via a bit line selection switch.
Nichtflüchtige Halbleitereinrichtung nach Anspruch 10, wobei jede Neuprogrammierungs- und Wiedergewinnungsschaltung selektiv mit einer Vielzahl von Bit-Leitungen des Speicherzellenarrays über einen Bit-Leitungsauswählschalter verbunden ist.
The semiconductor memory device as claimed in claim 1, characterized in that the predetermined structural parts comprise a decoder which selects columns of the memory cell array.
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die vorbestimmten Strukturteile einen Dekodierer umfassen, der die Spalten des Speicherzellen-Arrays auswählt.
This memory consists of the memory cell array (zf) with the n signal branches (b1... bn), in each one of which the m storage cells (c...) are provided.
Dieser besteht aus dem Speicherzellenfeld (zf) mit den n Signalzweigen (b1... bn), in deren jedem die m Speicherzellen (c...) vorgesehen sind.
The semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that at least one column decoder for decoding a column address which designates a column at an end of the memory cell array is provided at each end of the column decoder row.
Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Spaltendekoder zum Dekodieren einer Spaltenadresse, die eine Spalte bei einem Ende des Speicherzellenfelds bezeichnet, bei jedem Ende der Spaltendekoderreihe vorgesehen ist.
By silver impurities, the characteristics of the selection transistors T and the electrical behavior of other components in the silicon substrate S can be changed and thus the function of the memory cell array to be impaired as a whole.
Durch Silberverunreinigungen können die Kennlinien der Auswahltransistoren T sowie das elektrische Verhalten anderer Komponenten im Silizium-Substrat S verändert und damit die Funktion des Speicherzellen-Felds insgesamt beeinträchtigt werden.
is a configuration of the embodiment of the memory cell array and the re-write/ read circuit.
Das Speicherzellen-Array wird durch Integrieren von Zellen in einem p-Typ-Substrat oder einer p-Mulde gebildet.
The semiconductor memory module according to one of claims 1 to 7, wherein the control bus (CAB) when a bus for transmitting a row selection signal (RAS) is designed for selecting a row of the memory cell array of the memory chips.
Halbleiterspeichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Steuerbus (CAB) als ein Bus zur Übertragung eines Zeilenauswahlsignals (RAS) zur Auswahl einer Zeile des Speicherzellenfeldes eines der Speicherchips ausgebildet ist.
Method according to one of Claims 8 to 10, characterized in that an interrupt (26) in the test controller (12) has the effect that a refresh of the memory cell array (10) is started or an interrupted test program is continued.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein Interrupt (26) im Testkontroller (12) bewirkt, dass ein Auffrischen des Speicherzellenfeldes (10) gestartet oder ein unterbrochenes Testprogramm fortgesetzt wird.
The semiconductor memory cell according to claim 9, characterized in that said first node (N1) and one end of said second cascade gate are connected to complementary bit lines (BL, BL), of the memory cell array, respectively.
Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Schaltungsknoten (N1) und ein Ende des zweiten Kaskadengates an komplementäre Bitleitungen (BL, BL) des Speicherzellenfeldes angeschlossen sind.
Magnetic memory according to one of Claims 1 to 5, characterized in that the reference element is formed by a memory cell (1) (reference cell) of the memory cell array.
Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Referenzelement durch eine Speicherzelle (1) (Referenzzelle) des Speicherzellenfeldes ausgebildet ist.
EEPROM according to one of the preceding claims, characterized in that memory cells provided in the same column of the memory cell array are in each case connected to the same bit line (BL).
EEPROM nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in der selben Spalte des Speicherzellenfeldes vorgesehene Speicherzellen jeweils mit der selben Bitleitung (BL) verbunden sind.
Memory arrangement according to Claim 1 or 2, characterized in that the energy storage system comprises energy storage units (E2 to E5) each arranged at at least one side of the memory cell array (1).
Speicheranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Energiespeichersystem aus Energiespeichereinheiten (E2 bis E5) besteht, die jeweils an wenigstens einer Seite des Speicherzellenfeldes (1) angeordnet sind.
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