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Musterbildungsverfahren
Behältermusterbildungsverfahren
A pattern-forming method, which comprises irradiating the resist material of any of claims 1 to 5 patternwise with an energy beam, and developing the irradiated resist pattern.
Musterbildungsverfahren, welches das gemusterte Einstrahlen eines Energiestrahls auf das Resistmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 5 und das Entwickeln des eingestrahlten Resistmusters umfaßt.
A pattern-forming method according to claim 1 or 2, wherein the mixture of N-buthylisoquinolinium-TCNQ complex salt and N-octylisoquinolinium-TCNQ complex salt is employed as an ingredient (A) in the electroconductive composition.
Musterbildungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem die Mischung von n-Butylisochinolinium-TCNQ-Komplexsalz und n-Octylisochinolinium-TCNQ-Komplexsalz als Bestandteil (A) in der elektrisch leitenden Zusammensetzung verwendet wird.
Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
Protective film-forming composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
Schutzfilm bildende Zusammensetzung für eine Immersionsbelichtung und Strukturausbildungsverfahren mit einer solchen Zusammensetzung
Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition, and pattern-forming method using the photosensitive composition
Lichtempfindliche Zusammensetzung, in dieser Zusammensetzung verwendete Verbindung, und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung
Resist composition, resin for use in the resist composition, and pattern-forming method using the resist composition
Resistzusammensetzung, für die Resistzusammensetzung verwendetes Harz, und Verfahren zur Musterbildung unter Verwendung der Resistzusammensetzung
Container pattern-forming method according to claim 4, characterized in that the speed of said one of said two adjacent pattern-forming conveyors is increased to thereby accelerate the movement of said preselected container as it is rotated to said second orientation.
Behältermusterbildungsverfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Geschwindigkeit der beiden benachbarten Musterbildungsförderer erhöht wird, um dadurch die Bewegung des vorgewählten Behälters zu beschleunigen, wenn dieser in die zweite Orientierung gedreht wird.
Protective film-forming composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
Schützende, filmbildende Zusammensetzung in der Immersionslithographie und Bildaufzeichnungsverfahren damit
Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
Positive Resist-Zusammensetzung für Immersion Lithographie und Strukturierungsmethode mit Benutzung derselbigen
Container pattern-forming method according to claim 4, characterized in that said path along which a preselected container is directed is along a dividing line between said two adjacent pattern-forming conveyors with said preselected container being so directed intermittently as to be centered on said dividing line.
Behältermusterbildungsverfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Bahn, auf welcher ein vorgewählter Behälter geleitet wird, sich längs einer Unterteilungslinie zwischen den beiden benachbarten Musterbildungsförderern erstreckt, wobei der vorgewählte Behälter intermittierend so geleitet wird, daß er auf der Unterteilungslinie zentriert ist.
Pattern-forming method and radiation resist for use when working this pattern-forming method.
The pattern-forming method of claim 6 or 7 for fabricating a plasma display panel, wherein said application member (14) is a plasma display panel substrate and said ink layer pattern is a plasma display panel member pattern.
Musterbildungsverfahren nach Anspruch 6 oder 7 zur Fertigung einer Plasmaanzeige, wobei das Anwendungsteil (14) ein Plasmaanzeigesubstrat und das Lackschichtmuster ein Plasmaanzeigeteilmuster ist.
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