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random access memory according
Vertaling van "random access memory according" in Duits
Direktzugriffsspeicher nach
Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach
wahlfreien Zugriffs nach
A random access memory according to any preceding claim in which the clock cycle (110,120,130) is generated externally of the random access memory.
Ein Direktzugriffsspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Taktzyklus (110,120, 130) außerhalb des Direktzugriffsspeichers erzeugt wird.
A random access memory according to any preceding claim in which during a second segment (118) of the clock cycle a data access is performed on the first subset of the plurality of memory cells.
Ein Direktzugriffsspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem während eines zweiten Abschnitts (118) des Taktzyklus ein Datenzugriff auf die erste Teilmenge der Vielzahl von Speicherzellen durchgeführt wird.
A dynamic random access memory according to any one of the preceding claims, further comprising a reading control means (Q 6, Q 7) for controlling an operation of said reading voltage output means.
Dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach einem der vorstehenden Ansprüche, weiter umfassend eine Lesesteuereinrichtung (Q 6 , Q 7) zum Steuern eines Betriebsablaufes der Einrichtung zur Ausgabe der Lesespannung.
A dynamic random access memory according to claim 4 or 5, wherein said reading control means (Q 6, Q 7) is controlled by a signal applied thereto through a reading control line (CLR).
Dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 4 oder 5, bei welchem die Lesesteuereinrichtung (Q 6 , Q 7) durch ein Signal gesteuert wird, das an diese durch eine Lesesteuerleitung (CLR) angelegt wird.
A random access memory according to claim 3 or claim 4 in which after the refresh segment (117) of the clock cycle only word lines of the first subset are selected for data access.
Ein Direktzugriffsspeicher nach Anspruch 3 oder nach Anspruch 4, bei dem nach dem Auffrischabschnitt (117) des Taktzyklus nur Wortleitungen der ersten Teilmenge für einen Datenzugriff ausgewählt werden.
A random access memory according to any preceding claim in which the clock cycle (110,120,130) is generated from a system clock of a computing system which includes the random access memory.
Ein Direktzugriffsspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Taktzyklus (110,120, 130) von einem Systemtakt einer den Direktzugriffsspeicher einschließenden Datenverarbeitungsanlage erzeugt wird.
A dynamic random access memory according to claim 1, further comprising a writing voltage input means (Q 1, Q 2) for outputting a voltage corresponding to said voltage on the data bus line, on said bit line (BLi, BLi).
Dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 1, ferner umfassend eine Schreibspannungseingabeeinrichtung (Q 1 , Q 2) zum Ausgeben einer Spannung entsprechend der Spannung auf der Datenbusleitung auf die Bitleitung (BLi, BLi).
The dynamic random access memory according to claim 2, characterized by further comprising bit line potential control means (20) for controlling a potential of said bit line Precharge power line when the voltage stress test is carried out.
Dynamischer Direktzugriffsspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er ferner umfaßt: eine Bitleitungspotential-Steuereinrichtung (20) zum Steuern eines Potentials der Bitleitungs-Vorladeenergieleitung, wenn der Spannungsbelastungstest ausgeführt wird.
The computer system random access memory according to claim 5, wherein said translating means (121-123) is responsive to said at least three address bus bits.
Computersystem Freizugriffsspeicher nach Anspruch 5, wobei die Übersetzungsmittel (121-123) abhängig sind von zumindest drei Adressbus-Bits.
An output circuit system of static random access memory according to claim 1 or 2, wherein an electric signal (P) generated by detection of transition of said address signal is directly applied into said intermediate potential setting means (3).
Ausgangsschaltungssystem eines statischen Direktzugriffspeichers nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein elektrisches Signal (P), das durch die Erfassung des Übergangs des Adressensignals erzeugt wird, direkt der Zwischenpotential-Einstelleinrichtung (3) zugeführt wird.
A static random access memory according to claim 1, characterized by further comprising waveform shaping means (22, 23) for wave-shaping the output signal of said pulse width extension means (21) and supplying the same to said bit line initializing means (6).
Statischer Random-Access-Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er außerdem Wellenformgestaltungseinrichtungen (22, 23) umfaßt, um die Wellenform des Ausgabesignals der Impulsbreiten-Erweiterungeinrichtung (21) zu gestalten und dieses der Bitleitungs-Initialisiereinrichtung (6) zuzuführen.
The magnetic random access memory according to Claim 1, characterized in that in a semiconductor circuit in which the magnetic random access memory is formed, the first selection circuit (SG1) is arranged below the memory cell (MC1).
Magnetspeicher wahlfreien Zugriffs nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in einer Halbleiterschaltung, in der der Magnetspeicher wahlfreien Zugriffs ausgebildet wird, die erste Auswahlschaltung (SG1) unterhalb der Speicherzelle (MC1) angeordnet ist.
The magnetic random access memory according to Claim 5, characterized in that data items which are complementary to each other are written into the first and second memory cells (MC1, MC5) in two write-in cycles.
Magnetspeicher wahlfreien Zugriffs nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Daten, die komplementär zueinander sind, in den ersten und zweiten Speicherzellen (MC1, MC5) in zwei Schreibzyklen geschrieben werden.
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