Gesproken tekst vertalen, offlinefuncties, synoniemen, vervoegingen, educatieve spelletjes
Publiciteit
Registreer gratis: toegang tot meer resultaten en functies
said source diffusion region
Examples with "said source diffusion region" and their translation in Duits
The charge detector according to claim 1, wherein said pair of channel stoppers are connected to said source diffusion region.
Ladungsdetektor nach Anspruch 1, bei welchem das Paar von Kanalstoppem mit der Source-Diffusionsregion verbunden ist.
Andere resultaten
A semiconductor device according to claim 1, further comprising an electrode contact diffusion region of the first conductivity penetrated through said source region.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, die einen durch den Sourcebereich hindurchgeführten Elektroden-Kontaktdiffusionsbereich des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist.
A device as set forth in claim 1, wherein said impurity diffusion region is deeper than said source region, said drain region and said substrate contact region.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Störstellendiffusionsbereich tiefer als der Sourcebereich, der Drainbereich und der Substrat-Kontaktbereich ist.
A method as claimed in claim 3, wherein a voltage corresponding to charges output to said diffusion region portion at every step is output through said source follower circuit.
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem über die Sourcefolgerschaltung eine Spannung ausgegeben wird, die Ladungen entspricht, die bei jedem Schritt an den Diffusionsbereichabschnitt ausgegeben werden.
A semiconductor device according to claim 1, wherein an effective channel length of the insulated gate field effect transistor is determined by a difference of lateral impurity diffusion amounts of said second semiconductor region and said source region.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die effektive Kanallänge des Isolierschicht-Feldeffekttransistors von der Differenz der seitlichen Störstellendiffusionsbeträge des zweiten Halbleiterbereiches und des Sourcebereiches bestimmt wird.
Process according to claim 1, wherein each cell comprises a capacitor implant region and a source diffusion, characterised in that said mask covers the memory cell between the capacitor implant region and the source diffusion.
Verfahren entsprechend Anspruch 1, wobei jede Zelle einen Kondensator-Implantationsbereich und eine Sourcediffusion aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske die Speicherzelle zwischen dem Kondensator-Implantationsbereich und der Sourcediffusion abdeckt.
A charge transfer device as set forth in any one of claims 1 to 3, wherein said detector means comprises a source follower circuit including a field effect transistor (13) having a gate connected to said second floating diffusion region.
Ladungstransfervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung einen Sourcefolger-Schaltkreis umfaßt, der einen Feldeffekttransistor (13) mit einem Gate einschließt, welches mit dem zweiten, schwebenden Diffusionsgebiet verbunden ist.
A vertical type insulated-gate semiconductor device according to claim 1, characterized in that said vertical diffusion depth of said diffusion layer (5) is approximately 0,5 µm and said junction depth of said source region (7) is approximately 0,7 µm.
Vertikale Halbleiteranordnung mit isoliertem Gate nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte vertikale Diffusionstiefe der Diffusionsschicht (5) annähern 0,5 µm beträgt und daß die Übergangstiefe des genannten Source-Bereiches (7) annähernd 0,7 µm ist.
A semiconductor device according to claim 1, wherein a diffusion layer (14a) of the second conductive type is formed next to said source layer (15) in a surface region of said base layer (14).
Halbleitergerät nach Anspruch 1, wobei eine DiffusionsSchicht (14a) des zweiten leitenden Typs neben der Source-Schicht (15) in einem Oberflächenbereich der Basisschicht (14) gebildet ist.
A cell according to claim 1, characterized in that a diffusion region (24) is implanted in said well (20) and connected to a bias voltage source (26), which is preferably adjustable, said region having the second conductivity type.
Zelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Diffusionsbereich (24) in dem Gehäuse (20) vorgesehen und mit einer vorzugsweise regelbaren Polarisationsspannungsquelle (26) verbunden ist, wobei dieser Bereich den zweiten Leitfähigkeitstyp hat.
The method of claim 1. wherein comparing said source diffusion voltage to said reference voltage is a reverse read operation using a sense amplifier.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Vergleichen der Spannung auf der Source-Diffusion mit der Referenzspannung ein Rückwärts-Lesevorgang mit einem Abfrageverstärker ist.
The nonvolatile semiconductor device according to claim 1, characterized in that said source diffusion layer (2) is shared by memory cells having said control gate electrode in common.
Nichtflüchtige Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Diffusionsschicht (2) Speicherzellen zugeordnet ist, die die Steuergate-Elektrode gemeinsam haben.
The program verification means of claim 29, wherein the means for disconnecting bias and floating said drain and source diffusions allows a transfer of charge between said drain and said source until an equilibrium exists.
Einrichtung zum Verifizieren der Programmierung nach Anspruch 29, bei der die Einrichtung zum Trennen der Vorspannung und zum Floatenlassen der Drain- und Source-Diffusion einen Ladungsübergang zwischen dem Drain und der Source ermöglicht, bis ein Gleichgewicht besteht.
Ga naar Premium voor toegang tot miljoenen vertaalvoorbeelden, onbeperkt woorden opslaan en leren, zonder advertenties.
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
Resultaten: 1773. Exact: 1. Verstreken tijd: 126 ms.
