Gesproken tekst vertalen, offlinefuncties, synoniemen, vervoegingen, educatieve spelletjes
Publiciteit
Sluit u aan bij Reverso, het is gratis en gemakkelijk!
semiconductor laser array structure composed
Examples with "semiconductor laser array structure composed" and their translation in Duits
Surface emitting semiconductor laser array structure composed of GaAlAs or InGaAsP material without substrate and with mutually crossed metallic contact strips (l, o) which extend on the n-type or p-type contact side directly below or above the semiconductor components.
Oberflächenemittierende Halbleiterlaserarraystruktur aus GaAlAs- oder InGaAsP-Material ohne Substrat mit zueinander gekreuzten metallischen Kontaktierungsstreifen (l, o), die auf der n-bzw. p-Kontaktseite direkt unter bzw. über den Halbleiterbauelementen verlaufen.
Andere resultaten
An assembly structure as claimed in claim 1, wherein the semiconductor laser array (53) is composed of a plurality of vertical cavity surface emitting lasers (55) emitting a light beam in a direction of a stack of semiconductor layers.
Baugruppenstruktur nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterlaser-Feld (53) aus einer Vielzahl von VCSEL-Lasern (55) zusammengesetzt ist, die einen Lichtstrahl in eine Richtung eines Stapels von Halbleiterlasern emittieren.
Surface emitting semiconductor laser array structure with vertical resonator without substrate.
Oberflächenemittierende Halbleiterlaserarraystruktur mit vertikalem Resonator ohne Substrat.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 4, wherein the means for further suppressing lasing includes: an interferometric structure.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 4, bei der die Einrichtung zum zusätzlichen Unterdrücken von Lichtabstrahlung eine interferometrische Struktur umfaßt.
A semiconductor laser device as claimed in any preceding claim wherein said semiconductor laser array (1) is of monolithic structure.
Halbleiterlaservorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Halbleiterlaseranordnung einen monolithischen Aufbau aufweist.
A semiconductor laser device according to claim 1, wherein said striped mesa is composed of a double heterostructure or a quantum well structure.
Halbleiterlaser nach Anspruch 1, wobei die Streifen-Mesa aus einer Doppelheterostruktur oder einer Quantentrog-Struktur aufgebaut ist.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 1, and further comprising: means for favouring operation in a selected array mode exclusively.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 1, die weiterhin eine Einrichtung aufweist, die einen ausschließlichen Betrieb in einer ausgewählten Feldmode begünstigt.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 1, and further comprising: means for further suppressing lasing in the interelement regions.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 1, die zusätzliche eine Einrichtung zum Unterdrücken von Lichtabstrahlung in den Zwischenelementbereichen aufweist.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 8, wherein: the means for further suppressing lasing in the interelement regions includes a wide-waveguide interferometric structure.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 8, bei der die Einrichtung zum weiteren Unterdrücken der Laserwirkung in den Zwischenelementbereichen eine interferometrische Breit-Wellenleiter-Struktur umfaßt.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 22, wherein: the interelement regions have a width in the range of approximately 1 to 5 microns.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 22, bei der die Zwischenelementbereiche eine Breite im Bereich von annähernd 1 bis 5 micron haben.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 2, wherein: the means for favouring operation in a selected array mode includes an interferometric structure favouring operation at lower-order array modes.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 1 further having means (60) within the array structure for suppressing operation in the 180º-phase-shift array mode.
Halbleiterlaserreihenstruktur gemäß Anspruch 1 mit weiterhin einer Einrichtung (60) innerhalb der Reihenstruktur zum Unterdrücken eines Betriebs in der Reihen-Mode mit 180º Phasenverschiebung.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 4 wherein the structure for introducing interelement losses includes a transverse antiguiding structure that permits significant radiation loss to the substrate.
Halbleiterlaserreihenstruktur gemäß Anspruch 4, wobei die Struktur zum Erzeugen von Verlusten zwischen den Elementen eine transversale Antileiter-Struktur aufweist, die beträchtliche Strahlungsverluste zum Substrat bewirkt.
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
Resultaten: 1002328. Exact: 1. Verstreken tijd: 242 ms.
