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A memory array as claimed in claim 1, wherein each of said storage elements includes a plurality of single-bit memory cells to define a data byte, each memory cell being formed of a cross-coupled master latch (ML) and a cross-coupled slave latch (SL).
Speicher-Array nach Anspruch 1, bei dem jedes der Speicherelemente eine Vielzahl von Einzelbitspeicherzellen zum Bilden eines Datenbytes aufweist, wobei jede Speicherzelle aus einem kreuzgekoppelten Master-Haltespeicher (ML) und einem kreuzgekoppelten Slave-Haltespeicher (SL) gebildet ist.
As data is processed, ECC memory is constantly scanning code with a special algorithm to detect and correct single-bit memory errors.
Während der Datenverarbeitung scannt der ECC-Speicher kontinuierlich den Code mit einem speziellen Algorithmus, um Fehler im Einzelbit-Speicher zu erkennen und zu korrigieren.
As data is processed, ECC memory is constantly scanning code with a special algorithm to detect and correct single-bit memory errors.
Während der Verarbeitung der Daten wird vom ECC-Speicher kontinuierlich Code mithilfe eines speziellen Algorithmus zur Erkennung und Korrektur von Einzelbit-Speicherfehlern eingelesen.
ECC parity helps detect and correct single-bit memory errors, which can cause sudden shutdowns, file corruption or data loss.
Mit ECC-Parität können Sie Single-bit-Speicherfehler erkennen und korrigieren, die plötzliche Ausfälle, Dateibeschädigungen oder Datenverlust auslösen können.
ECC memory allows the system to tolerate a single-bit memory chip error without interrupting operation.
DDR4 ECC memory detects and then corrects single-bit memory errors, demonstrating high reliability for crucial applications.
Der DDR4 ECC-Speicher erkennt und korrigiert Einzelbit Speicherfehler und zeigt eine hohe Zuverlässigkeit für wichtige Anwendungen.
A memory array as claimed in claim 1 wherein each of said storage elements (B100-B107) includes a single-bit memory cell, each memory cell being formed of a pair of cross-coupled latches (ML, SL).
Speicher-Array nach Anspruch 1, bei dem jedes der Speicherelemente (B100-B107) eine Einzelbitspeicherzelle aufweist, wobei jede Speicherzelle aus zwei kreuzgekoppelten Haltespeichern (ML, SL) gebildet ist.
ECC (Error-correcting code) is a method of detecting and correcting single-bit memory errors.
The Intel Xeon E based TS-883XU uses ECC memory that can detect and correct single-bit memory errors as they occur to prevent downtime and data loss, which is essential for always-on, mission-critical, server-grade applications.
Das auf Intel Xeon E basierende TS-883XU verwendet einen ECC-Speicher, der Einzelbit-Speicherfehler, sobald sie auftreten, erkennen und korrigieren kann, um Ausfallzeiten und Datenverlust zu vermeiden, was für permanent aktive, geschäftskritische Anwendungen unerlässlich ist.
This technology detects and corrects single-bit memory errors, which if left uncorrected can cause unexpected shutdowns, file corruption or data loss.
Diese Technologie erkennt und korrigiert Ein-Bit-Speicherfehler, die unerwartetes Abschalten, Dateibeschädigungen oder Datenverlust verursachen können, wenn sie nicht behoben werden.
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