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Source-Diffusionsschicht
The nonvolatile semiconductor device according to claim 1, characterized in that said source diffusion layer (2) is shared by memory cells having said control gate electrode in common.
Nichtflüchtige Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Diffusionsschicht (2) Speicherzellen zugeordnet ist, die die Steuergate-Elektrode gemeinsam haben.
The non-volatile memory of claim i, wherein the first dielectric film adjacent to the drain diffusion layer (13) has a smaller thickness than the first dielectric film adjacent to the source diffusion layer (7).
Nichtflüchtiger Speicher nach Anspruch 1, bei dem der an die Drain-Diffusionsschicht (13) angrenzende erste dielektrische Film eine geringere Dicke als der an die Source-Diffusionsschicht (7) angrenzende erste dielektrische Film aufweist.
Andere resultaten
A method for fabricating a nonvolatile semiconductor memory according to claim 9, comprising a step of forming said drain and source diffusion layers (5) by implanting impurities in the semiconductor substrate using the pattern of the first polysilicon films as a mask.
Verfahren zum Herstellen eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers nach Anspruch 9, mit dem Schritt des Herstellens der Drain- und Sourcediffusionsschichten (5) durch Implantieren von Fremdstoffen in das Halbleitersubstrat unter Verwendung des Musters der ersten Polysiliciumfilme als Maske.
A method claimed in Claim 18 wherein the the second oxide superconductor thin film is etched back until the diffusion source layer is exposed.
Verfahren nach Anspruch 18, bei dem der zweite Oxid-Supraleiter-Dünnfilm zurückgeätzt wird, bis die eindiffundierte Source-Schicht offenliegt.
A superconducting device claimed in Claim 4 wherein the diffusion source layer (17, 24) is formed of a material selected from the group consisting of silicon and silicide, and the isolation region is diffused with at least silicon.
Supraleitende Einrichtung nach Anspruch 4, bei der die eindiffundierte Source-Schicht (17, 24) aus einem aus der aus Silizium und Silizid bestehenden Gruppe ausgewählten Material besteht, und bei der der Isolationsbereich mit zumindest Silizium dotiert ist.
The proof was provided by images of the gas diffusion layer that the scientists obtained using neutrons from the ICON beamline of the spallation neutron source SINQ at PSI.
A surface light source device as claimed in claim 1 or 2, wherein a light diffusion layer (6) is provided on the front face of the light guiding plate.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in claim 18, wherein said P⁺ or N⁺ type diffusion layer of a (selected input basic cell is clipped to said power source line by using a contact hole.
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 18, bei der die P⁺- oder N⁺-Diffusionsschicht von einer ausgewählten Eingangsbasiszelle durch Verwendung eines Kontaktloches an die Energiequellenleitung geklemmt ist.
A vertical type insulated-gate semiconductor device according to claim 1, characterized in that said vertical diffusion depth of said diffusion layer (5) is approximately 0,5 µm and said junction depth of said source region (7) is approximately 0,7 µm.
Vertikale Halbleiteranordnung mit isoliertem Gate nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte vertikale Diffusionstiefe der Diffusionsschicht (5) annähern 0,5 µm beträgt und daß die Übergangstiefe des genannten Source-Bereiches (7) annähernd 0,7 µm ist.
A semiconductor device according to claim 1, wherein a diffusion layer (14a) of the second conductive type is formed next to said source layer (15) in a surface region of said base layer (14).
Halbleitergerät nach Anspruch 1, wobei eine DiffusionsSchicht (14a) des zweiten leitenden Typs neben der Source-Schicht (15) in einem Oberflächenbereich der Basisschicht (14) gebildet ist.
In addition, micro-exchange of material into the diffusion layer must be promoted.
Ferner muss der Mikrostoffaustausch in die Diffusionsschicht hinein gefördert werden.
A double-sided diffusion layer ensures high efficiency and an excellent illumination.
Eine beidseitige Diffusionsschicht sorgt für einen hohen Wirkungsgrad und eine optimale Ausleuchtung.
Ultrasonic cavitation reduces the effective thickness of the diffusion layer at an electrode.
Die Ultraschallkavitation reduziert die effektive Dicke der Diffusionsschicht an einer Elektrode.
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