A programable logic device as recited in any of claims 4 to 12, wherein the dual mode memory block functions as static random access memory in the second mode.
Programmierbare Logikeinrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 12, wobei der Dual-Modus-Speicherblock im zweiten Modus als statischer Direktzugriffsspeicher funktioniert.
The method of Claim 13, further comprising partitioning each of the columns of memory (102) into groups of memory cells (200), with each of the memory cells (200) being two port static random access memory.
Verfahren nach Anspruch 13, das ferner das Partitionieren jeder der einzelnen Speicherspalten (102) zu Speicherzellengruppen (200) umfasst, wobei jede der Speicherzellen (200) ein statischer Direktzugriffsspeicher mit zwei Ports ist.
A memory as claimed in any preceding claim, being a static random access memory.
Static random access memory with address transition detector.
A circuit as claimed in claim 1 wherein the circuit comprises a synchronous static random access memory.
A system comprising: a static random address memory; and a processor coupled to the static random access memory, said processor comprising a dual multiply-accumulate unit, said unit including the apparatus of any one of claims 11 to 16.
System, das Folgendes umfasst: einen statischen Direktzugriffsspeicher und einen an den statischen Direktzugriffsspeicher gekoppelten Prozessor, wobei der Prozessor eine duale Multiplikations-Akkumulationseinheit umfasst, wobei die Einheit die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 16 umfasst.
The integrated circuit of Claim 2, wherein each of the groups of memory cells (200) is configured as a two by four memory block, with each memory cell (200) being a two port static random access memory.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 2, wobei jede der Speicherzellengruppen (200) als ein Zwei-mal-vier-Speicherblock konfiguriert ist, wobei jede Speicherzelle (200) ein statischer Direktzugriffsspeicher mit zwei Ports ist.
The device as claimed in claim 1, wherein said main memory portion (101) comprises a dynamic random access memory (DRAM) and each of said sub memory portions comprises a static random access memory (SRAM).
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Hauptspeicherteil (101) einen dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) und jeder der Unterspeicherteile einen statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM) aufweist.
Static random access memory for gate array devices.
Static random access memory device and manufacturing method therefor
Statischer RAM-Speicher und zugehöriges Herstellungsverfahren
SRAM (Static Random Access Memory) is mainly used in high performance embedded computing, and in cache memory for processors and hard drives, where its high speed and low energy consumption is helpful.
SRAM (Statischer Direktzugriffsspeicher) wird hauptsächlich in der Hochleistung eingebetteten Datenverarbeitung und im Cache-Speicher für Prozessoren und Festplattenlaufwerke verwendet, in denen sein Hochgeschwindigkeits- und niedriger Energieverbrauch hilfreich ist.
Multi-port static random access memory with fast write-thru scheme.
Sense amplifier and method for sensing the outputs of static random access memory cells.