In addition, the memory cell of the invention is described in detail.
Im Weiteren wird die erfindungsgemäße Speicherzelle näher beschrieben.
The dimensions of the memory cell can be defined by applying suitable spacers.
Das Anbringen geeigneter Spacer ermöglicht es, die Abmessungen der Speicherzelle zu definieren.
Nevertheless, this figure merely illustrates the memory cell in a particular memory state.
Trotzdem erläutert diese Figur nur die Speicherzelle in einem bestimmten Speicherzustand.
The lowering of the resistance of the memory cell, in turn, facilitates faster reading speeds.
Die Senkung des Widerstands der Speicherzelle erleichtert wiederum schnellere Lesegeschwindigkeiten.
The field of application of the memory cell produced in this way comprises very large-scale integrated logic and memory devices.
Der Anwendungsbereich der auf diese Weise hergestellten Speicherzelle umfaßt höchstintegrierte Logik- und Speicherbausteine.
The object is to achieve an area-saving design of the memory cell.
Angestrebt wird eine flächensparende Ausbildung der Speicherzelle.
Early trauma thus changing the cell internal chemistry and is stored in the memory cell.
Frühe Traumata verändern somit die zellinterne Chemie und werden auch im Gedächtnis der Zelle abgespeichert.
Thus it is difficult to get enough sensing margin to read the memory cell information accurately.
Somit ist es schwierig, eine ausreichende Abtasttoleranz zu erhalten, um die Speicherzelleninformation präzise zu lesen.
However, one can also not be further increased for a given substrate surface without special measures, the memory cell density.
Jedoch lässt sich darüber hinaus die Speicherzellendichte bei vorgegebener Substratfläche ohne besondere Maßnahmen nicht noch weiter erhöhen.
Firstly, it is advantageous if data signals are involved various word lines of the memory cell array in the parity check.
Zum einen ist vorteilhaft, wenn Datensignale von verschiedenen Wortleitungen des Speicherzellenfeldes in die Paritätsüberprüfung miteinbezogen werden.
Scan flip-flop with bypass of the memory cell of the flipflop
Flipflop für "Boundary-Scan" mit Bypass für die Speicherzelle des Flipflops
More particularly, the memory cell may include a magnetic memory element and a resistive memory element.
Insbesondere kann die Speicherzelle ein magnetisches Speicherelement und ein widerstandsbehaftetes Speicherelement umfassen.
The generation circuits are preferably arranged in the plane of the memory cell fields, in which bands with sense amplifiers and word line drivers overlap.
Vorzugsweise sind die Erzeugungsschaltungen in den Flächen des Speicherzellenfeldes angeordnet, in denen sich Streifen mit Leseverstärkern und Wortleitungstreibern überlappen.