Vertaling van "BASED LED" in Frans
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a transparent conductive layer of a GaN based LED chip comprises a one of al, in and ga doped ZnO transparent conductive layer formed on a p-type GaN layer
une couche conductrice transparente de puce DEL à base de GaN, comprenant une couche conductrice transparente ZnO dopée à al, in ou ga formée sur une couche GaN de type p
the method of manufacturing the transparent conductive layer comprises the following steps. rinsing chemically a epitaxial wafer of the GaN based LED outside of a furnace
l'invention concerne également un procédé de fabrication associé, consistant. à rincer chimiquement une plaquette épitaxiale de la DEL à base de GaN en dehors d'un four
OXIDE BASED LED BEOL INTEGRATION
transparent conductive layer of gan based led chip and manufacturing method thereof
couche conductrice transparente de puce del à base de gan et procédé de fabrication associé
group iii-nitride based led having a transparent current spreading layer
del à base de nitrure du groupe iii comprenant une couche de diffusion de courant transparente
The GaN- based LED including a GaN-based semiconductor layer formed of a plurality of layers.
La DEL à base de GaN comprend une couche semiconductrice à base de GaN composée d'une pluralité de couches.
GAN BASED LED WITH IMPROVED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY AND METHOD FOR MAKING THE SAME
DEL À BASE DE GAN AVEC UNE EFFICACITÉ D'EXTRACTION DE LUMIÈRE amÉliorÉe ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE LE PRODUIRE
a three-dimensional lattice structure based led array for illumination
réseau de del à structure en treillis tridimensionnelle, pour l'illumination
a lattice structure based led array for illumination
It will save your battery power based LED display.
Methods and apparatus for implementing and operating pulse width modulation based LED dimmer controllers are described.
Procédés et appareils de mise en oeuvre et de fonctionnement de modules de commande de gradateur de LED par modulation de largeur d'impulsion.
The present invention relates to a semiconductor light-emitting element which improves the light-extraction efficiency of nitride based LED elements and also allows the directivity angle to be controlled, and relates to a production method therefor.
La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteurs qui améliore l'efficacité d'extraction de lumière d'éléments à diodes électroluminescentes à base de nitrure et permet également le contrôle de l'angle de directivité, ainsi que son procédé de production.
system for rgb based led luminary