Vertaling van "is a substrate processing method" in Frans
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concerne un procédé de traitement de substrat
Provided is a substrate processing method which improves productivity by accurately recognizing an end point in ashing process.
Disclosed is a substrate processing method for removing a resist film which is formed on a substrate and has a modified layer in the surface.
La présente invention concerne un procédé de traitement de substrat pour retirer une pellicule d'enduit protecteur qui est disposée sur un substrat et comporte une couche modifiée dans sa surface.
Disclosed is a substrate processing method which enables to form a recessed and projected structure in a substrate surface, while reducing the number of processing steps.
L'invention concerne un procédé de traitement de substrat permettant de former une structure de creux et de saillies dans la surface d'un substrat, tout en réduisant le nombre d'étapes de traitement.
disclosed is a substrate processing method wherein the infrared absorptance or infrared transmittance of a substrate to be processed is measured in advance
l'invention concerne un procédé de traitement de substrat dans lequel l'absorption infrarouge ou la transmissibilité infrarouge d'un substrat à traiter sont mesurées à l'avance
Disclosed is a substrate processing method for forming a void along a prescribed line (12) in a silicon substrate (11).
La présente invention se rapporte à un procédé de traitement de substrat destiné à former un vide le long d'une ligne (12) prescrite dans un substrat de silicium (11).
provided is a substrate processing method employing multi-patterning technology of performing lithography and etching at least two times to one substrate
l'invention concerne un procédé de traitement de substrat qui utilise une technologie à multiple motif consistant à effectuer une lithographie et une attaque au moins deux fois sur un substrat
Specifically provided is a substrate processing method that removes the Si film on the surface of a substrate (W) housed inside a processing chamber (21).
Spécifiquement, procédé de traitement de substrat permettant de retirer un film de Si de la surface d'un substrat (W) situé à l'intérieur d'une chambre de traitement (21).
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