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le second motif de masque
is performed by means of the second mask pattern group
The moving speed of the photomask is controlled such that the moving distance of the subject when performing switching between the first and the second mask pattern groups is longer than the moving distance of the photomask.
La vitesse de déplacement du masque photographique est commandée de telle sorte que la distance de déplacement du sujet lorsque le passage est réalisé entre les premier et second groupes de motifs de masque est plus importante que la distance de déplacement du masque photographique.
and light from the light source is selectively irradiated onto the second mask pattern while transporting the substrate
et la lumière provenant de la source de lumière est sélectivement irradiée sur le second motif de masque tout en transportant le substrat
and the mask pattern group is switched to the second mask pattern group by moving the photomask
et le groupe de motifs de masque est commuté sur un deuxième groupe de motifs de masque par déplacement du masque photographique
light from the propagation pattern is transmitted through the second mask pattern and impinges on the target, thereby creating a target pattern
la lumière provenant du motif de propagation traverse le second motif de masque, heurte la cible et crée un motif de cible
light is transmitted through the first mask pattern and propagates to the second mask pattern, thereby forming a propagation pattern at that location
la lumière émise traverse le premier motif de masque, se propage vers le second motif de masque et forme un motif de propagation à cet emplacement
Light is transmitted through the first mask pattern and propagates to the second mask pattern, thereby forming a propagation pattern at that location.
La lumière provenant du motif de propagation traverse le second motif de masque, heurte la cible et crée un motif de cible.
then, the third mask pattern may be generated based on the second mask pattern, where the photo-mask corresponds to the third mask pattern.
puis, le troisième dessin de masque peut être généré sur la base du deuxième dessin de masque, où le photomasque correspond au troisième dessin de masque.
by using the second mask pattern, the first mask layer is subjected to reactive ion etching using a reactive gas containing a halogen gas so as form a first mask pattern
grâce au second motif de masque, la première couche masque est soumise à une gravure ionique réactive à l'aide d'un gaz réactif contenant un gaz halogène de manière à former un premier motif de masque
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