Examples with "source à double diffusion" and their translation in Engels
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élément de mémoire flash eeprom à canal court possédant une source à double diffusion et son procédé de fabrication
short channel flash eeprom device having a double diffused source and method of manufacturing the same
région fortement dopée dans un transistor mosfet de source à double diffusion (ldmos) et procédé de fabrication associé
heavily doped region in double-diffused source mosfet (ldmos) transistor and a method of fabricating the same
Andere resultaten
le bruit émanant des sources tel que la double diffusion de rayleigh est réduit si l'on utilise la cavité sagnac en association avec une logique de pompage à diversité de polarisations, où le pompage s'effectue de part et d'autre de deux axes de la fibre
the noise arising from sources such as double rayleigh scattering is reduced by using the sagnac cavity in combination with a polarization diversity pumping scheme, where the pump is split along two axes of the fiber
Le commutateur est coupé en réglant les signaux de grille comme les tensions de source respectives des paires de dispositifs Mos à Double Diffusion.
The switch is turned off by setting the gate signals equal to the respective source voltages of the DMOS device pairs.
dans un dispositif MOS à double diffusion latéral, la tension de claquage est régulée par un diviseur de tension couplée à des extrémités opposées à la source et au drain
in a lateral DMOS device breakdown voltage is controlled by a voltage divider coupled at opposite ends to the source and drain
une diffusion profonde de la région de grille arrière élaborée selon un procédé à grille auto-alignée par rapport à l'électrode de commande est nécessaire dans un transistor MOS à double diffusion pour obtenir une tension de pénétration suffisamment élevée entre la source et le drain
a deep diffusion of the back-gate region provided in a self-aligned manner with respect to the gate electrode is necessary in a DMOS transistor for obtaining a sufficiently high punch-through voltage between source and drain
Le procédé et les circuits consistent à allumer l'interrupteur par l'application de signaux de grille aux paires de dispositifs MOS à Double Diffusion qui sont générés à l'aide d'au moins une source de tension d'une paire de dispositifs Mos à Double Diffusion.
The method and circuits involve turning the switch on by applying gate signals to the DMOS device pairs which are generated using at least one source voltage of a DMOS device pair.
l'évidement peut également servir à la formation d'un transistor avec semi-conducteur à oxyde de métal à double diffusion latérale (LDMOST) dont la région de source peut être pourvue d'un prolongement.
the recess can further be used in the formation of LDMOST whose source region can be provided with an extension.
l'invention concerne en outre un transistor à effet de champ à double diffusion dont la grille est connectée à la grille du transistor à effet de champ à canal n, à une source en contact avec la cathode et intégrée dans une base p
a switching-in DMOSFET is further provided whose gate is connected to the gate of the NMOSFET, a source contacted by the cathode and embedded in a p-base
un procédé de fabrication de structure de transistor MOS à double diffusion avec tranchées donnant lieu à un autoalignement du contact établi entre la source et le corps du transistor d'une part, et la tranchée d'autre part
a method of fabricating a trench DMOS transistor structure results in the contact ot the transistor's source and body being self-aligned to the trench
La présente invention concerne un transistor à double diffusion latérale résistant à la haute tension basé sur un dispositif à nanofil.
A high-voltage resistant lateral double-diffused transistor based on a nanowire device is provided.
Le nombre de renvois aux unités des enquêtes criminelles de toutes sources a doublé.
Système et procédé de création d'une cellule de mémoire à canal très court possédant une jonction d'implant à double diffusion.
A system and method for providing a very short channel memory cell having a double diffuse implant junction is disclosed.
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