Examples with "CMOS-Gate" and their translation in Engels
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Fehlerarme umschaltbare Messleiterdetektionsspannung nach Anspruch 1, worin das Gate ein CMOS-Gate ist.
The low error, switchable measurement lead detect circuit claimed in Claim 1, wherein said gate is a CMOS gate.
Die Mehrzahl der ICs mit eingebauten Quarzoszillatorschaltungen setzen das Gated-Pierce-Design ein, bei dem der Oszillator um ein einziges invertierendes CMOS-Gate herum gebaut ist.
The majority of ICs with built in crystal oscillator circuits use the Gated Pierce design where the oscillator is built around a single CMOS inverting gate.
Eine Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der genannte Spaltentreiber (11-15) ein bipolares CMOS-Gate (Q31-Q34, Tr21, Tr22) hat, das aus einem CMOS-Gate (Q31-Q34) und den genannten Bipolartransistoren (Tr21, Tr22) gebildet ist.
A semiconductor memory device as claimed in claim 3, characterized in that said column driver (11-15) has a bipolar CMOS gate (Q31-Q34, Tr21, Tr22) made up of a CMOS gate (Q31-Q34) and said bipolar transistors (Tr21, Tr22).
Andere resultaten
Integrierte Schaltung nach Anspruch 7, mit einem CMOS-Gate-Array, das an der Eingangsseite mit mindestens einem Umsetzer gekoppelt ist.
An integrated circuit as claimed in Claim 7, comprising a CMOS gate array which is coupled to at least one converter at the input side.
Statischer Schreib-Lese-Speicher für eine CMOS-Gate-Array-Vorrichtung, der in Kombination enthält: mehrere statische Schreib-Lese-Speicherzellen des im Anspruch 4 definierten Typs, die in Spalten und Zeilen angeordnet sind.
A static random access memory for a CMOS gate array device comprising, in combination: a plurality of static random access memory cells of the type defined in claim 4, arranged in columns and rows.
Basiszelle für BICMOS und CMOS-Gate-Arrays.
VERFAHREN ZUM INTEGRIEREN VON METALLEN MIT VERSCHIEDENEN ARBEITSFUNKTIONEN ZUR BILDUNG VON CMOS-GATES MIT GATEDIELEKTRIKUM MIT HOHEM K UND DIESBEZÜGLICHE STRUKTUR
METHOD FOR INTEGRATING METALS HAVING DIFFERENT WORK FUNCTIONS TO FORM CMOS GATES HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC AND RELATED STRUCTURE
Halbleiterspeicher gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Lastwiderstände (31, 32) in dem CMOS-Gate-Array (11) strukturiert werden und mit einer isolierenden Zwischenschicht (34) bedeckt werden.
A semiconductor memory according to claim 1 or 2, wherein said load resistances (31,32) in said CMOS gate array (11) are patterned and covered with an insulating interlayer (34).
Vorrichtung nach Anspruch 13, die ferner Folgendes umfasst: eine zweite Logik zum Suchen aller CMOS-Gates, die dem genannten Pfad entsprechen; eine dritte Logik (302) zum Ersetzen der genannten CMOS-Gates mit äquivalenten PMOS- und NMOS-Gates.
The apparatus of claim 13 further comprising: a second logic for locating all CMOS gates corresponding to said path; a third logic (302) for replacing said CMOS gates with equivalent PMOS and NMOS gates.
Verfahren zum Herstellen von integrierten CMOS-Anordnungen mit verringerten Gate-Längen.
Process for manufacturing CMOS integrated devices with reduced gate lengths.
Die Arbeiten auf der Schnittstelle zwischen Schaltungen und Multi-Gate-CMOS-Technologien werden gerade weltweit gestartet.
Silicium Gate CMOS-Transistore und Verfahren zu ihrer Herstellung
A process for the production of silicon gate CMOS transistors, and resultant product
Drittens basieren FeFETs auf High-k-Metall-Gate-CMOS-Basis-Technologien und können somit deren Skalierungsvorteile nutzen.
