Vertaling van "Gate Field" in Duits
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Suspended Gate Field Effect Transistor (SGFET) with polymer coating used as humidity sensor
Suspended Gate Field Effect Transistor (SGFET) mit Polymerbeschichtung als Feuchtesensor
Insulated gate field effect device with a curved channel and method of fabrication.
A method of manufacturing an insulated gate field effect device.
Verfahren zur Herstellung von einem Feldeffektbauelement mit einem isolierten Gatter.
Lateral double diffused insulated gate field effect transistor and fabrication process.
Lateraler zweifach diffundierter Fieldeffekttransistor mit einem isolierten Gate und Verfahren zur Herstellung.
Semi-conductor memory device having an insulated gate field effect transistor as a fundamental element.
Semiconductor device comprising insulated gate field effect transistors.
Process for manufacturing a buried gate field effect transistor.
Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttranssistors mit vergrabener Gate-Elektrode.
Method of producing gate electrodes of silicide or silicium for an integrated circuit with insulated gate field effect transistors.
A semiconductor device comprising a vertical insulated gate field effect device and a method of manufacturing such a device.
Halbleiterbauelement mit vertikalem Feldeffektbauelement mit isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementes.
Method of manufacture of an heterostructure channel insulated gate field effect transistor and corresponding transistor
Process for forming a narrow mesa on a substrate and process for making a self-aligned gate field effect transistor.
Verfahren zum Herstellen einer schmalen Mesastruktur auf einem Substrat und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors mit selbstjustiertem Gate.
The method of claim 72, wherein said transistors devices are insulated gate field effect transistors.
A microprocessor as set forth in claim 2, further characterized in that the potential cells are insulated gate field effect transistors.
Mikroprozessor nach Anspruch 2, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die möglichen Zellen Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate sind.