16 SRAM (Static Random Access Memory) devices are commonly used to demonstrate technology performance, process yield and chip reliability prior to high-volume manufacturing of processors and other logic chips using a new process technology.
16 SRAM (Static Random Access Memory)-Geräte werden im Allgemeinen dazu verwendet, vor der Großserienfertigung von Prozessoren und anderen logischen Chips mit einer neuen Fertigungstechnologie die Leistung, Ergiebigkeit und Chip-Zuverlässigkeit dieser Technologie zu testen.
SRAM (Static Random Access Memory) is mainly used in high performance embedded computing, and in cache memory for processors and hard drives, where its high speed and low energy consumption is helpful.
SRAM (Statischer Direktzugriffsspeicher) wird hauptsächlich in der Hochleistung eingebetteten Datenverarbeitung und im Cache-Speicher für Prozessoren und Festplattenlaufwerke verwendet, in denen sein Hochgeschwindigkeits- und niedriger Energieverbrauch hilfreich ist.
The test system as recited in any preceding claim, wherein said memory module includes a plurality of Static Random Access Memory (SRAM) chips.
Testsystem nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Speichermodul eine Mehrzahl von statischen Speicherchips mit wahlweisem Zugriff (SRAM) aufweist.
The device as specified in claims 1 to 3, wherein said memory cell (10) comprises a Static Random Access Memory (SRAM) cell.
Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 3, bei der die Speicherzelle (10) eine Zelle eines statischen Schreib-Lese-Speichers (SRAM-Zelle) umfaßt.
This work focuses on the impact of these parametrical degradation mechanisms on Static Random Access Memory (SRAM) arrays.
Diese Arbeit befasst sich mit den Auswirkungen dieser parametrischen Degradationseffekte auf Blöcke statischer Speicherzellen (SRAM).
The existing video controller uses a SRAM (Static Random Access Memory) as an external video memory.
Der bestehende Video-Controller verwendet als externen Videospeicher ein SRAM (Static Random Access Memory).
Static Random Access Memory cell (SRAM) and ultra-low power memory using the same
Statische Direktzugriffspeicherzelle (SRAM) und Speichereinheit die diese enthält mit extrem niedrigem Leistungsverbrauch
The apparatus of claim 5 wherein the central data bank means include a content-addressable memory (CAM) (32) for storing station addresses; and a first Static Random Access Memory (SRAM1) for storing signature information on LAN stations.
Die Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei das zentrale Datenbankmittel einen inhaltsadressierbaren Speicher (CAM) (32) zur Speicherung von Stationsadressen und einen ersten statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM 1) zur Speicherung von Signaturinformationen über LAN-Stationen enthält.
Up until this point, my only choices of data logging hardware for embedded systems were Static Random Access Memory (SRAM) and Flash.
Bis zu diesem Zeitpunkt bezogen sich meine einzigen Auswahlmöglichkeiten im Bereich der Datenerfassungshardware für Embedded-Systeme auf Static Random Access Memory (SRAM) und Flash.
SRAM (Static Random Access Memory): RAM which typically consists of one flip-flop per bit of memory.
SRAM (statischer RAM): RAM, das gewöhnlich aus einem Flip-Flop pro Spitze des Gedächtnisses besteht.
In contrast to DRAMs, no "refresh" has to be performed in the case of SRAMs (Static Random Access Memory) since the data stored in the SRAM memory cell remain stored as long as an appropriate supply voltage is fed to the SRAM.
Im Gegensatz zu den DRAMs muss bei SRAMs (Static Random Access Memory) kein "Refresh" durchgeführt werden, da die in der SRAM-Speicherzelle gespeicherten Daten erhalten bleiben, solange dem SRAM eine entsprechende Versorgungsspannung zugeführt wird.
The nvSRAM (non-volatile Static Random Access Memory) is a fast and efficient non-volatile memory combining the performance of a fast SRAM with the advantages of a non-volatile cell (EEPROM)
Das nvSRAM (non-volatile Static Random Access Memory) ist ein ebenso schneller wie leistungsfähiger nichtflüchtiger Speicher, der die Performance-Merkmale eines schnellen SRAM mit den Vorteilen einer nichtflüchtigen Zelle (EEPROM) kombiniert
The BS62LV1027 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 131,072 words by 8 bits and operates from a wide range of 2.4V to 5.5V supply voltage.
Das BS62LV1027 ist eine Hochleistung, sehr statischer Direktzugriffsspeicher CMOS der geringen Energie, der als 131.072 Wörter durch 8 Bits organisiert wird und funktioniert von einer breiten Palette von 2.4V zur Spannung der Versorgung 5.5V.