Registrierkasse nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß der Speicher (2) ein Direktzugriffsspeicher (random access memory) ist.
A point-of-sale terminal as claimed in claim 3, wherein said storage (2) is a random access memory.
Ein neuer Umgang mit Medien, Speichern und Archiven wurde erprobt, der die aufgezeichneten Versatzstücke der Realität als veränderbare und manipiulierbare Erinnerungen (random access memory) und nicht als unverrückbare Gedächtnisse (read only memory) behandelte.
This is a new way of handling media, storage devices and archives treating the recorded set pieces of reality as changeable and manipulable reminiscences (random access memory) and not simply as unalterable memories (read only memory).
Beim Abschalten der Vorrichtung geht ein zuvor, dh nach dem Einschalten der Vorrichtung, empfangenes Auswahlsignal verloren, weil das Auswahlsignal im Empfänger der Vorrichtung in einem flüchtigen Speicher, beispielsweise in einem sogenannten random access memory (RAM), gespeichert ist.
When switching off the apparatus moves a previously, that is lost after switching on the device, received selection signal as the selection signal in the receiver of the device is stored in a volatile memory, for example in a so-called random access memory (RAM).
Zusätzlich können eine Systemsoftware, spezifische Vorrichtungsanwendungen oder Teile davon temporär in einen volatilen Speicher geladen werden, wie einen Arbeitsspeicher (RAM - random access memory) 46.
In addition, system software, specific device applications, or parts thereof, may be temporarily loaded into a volatile store, such as a random access memory (RAM) 618.
Um die Dichte in einem Magnetdirektzugriffsspeicher-Array (engl.: magnetic random access memory; MRAM) zu erhöhen, ist es bekannt, eine Speicherzellenarchitektur zu verwenden, die mehr als ein magnetisches Speicherelement umfasst.
To increase density in a magnetic random access memory (MRAM) array, it is known to use a memory cell architecture that includes more than one magnetic storage element.
Durch das Steuern der magnetischen Eigenschaften der harten ferrimagnetischen Schicht, lassen sich sogenannte RAM-Speicherbausteine (RAM steht für random access memory) herstellen, bei denen sich die Lebensdauer der gespeicherten Informationen beliebig für Wochen, Monate oder Jahre einstellen lässt.
By tunning the magnetic properties of the hard ferrimagnetic layer, the so-called RAM memory building-blocks (RAM stands for random access memory) can be manufactured with controlled life-time of the stored information of weeks, months or years...
RAM - random access memory ist erforderlich, um Anwendungen und andere Software auszuführen.
RAM - random access memory is needed to run apps and other software.
Vorrichtung nach Anspruch 6, bei welcher der zeitweilige Speicherplatz einen dynamischen Arbeitsspeicher (dynamic random access memory) umfasst.
The apparatus according to Claim 7, wherein said temporary memory space comprises a dynamic random access memory.
Computersystem nach Anspruch 18, wobei das erste Signal von der CPU ein Adressenabtast-Eingangssignal ist, das kompatibel mit einem über eine Leitung geleiteten Protokoll eines statischen Stoßspeichers mit wahlfreiem Zugriff (pipelined burst static random access memory; PBSRAM) ist.
The computer system of claim 18, wherein the first signal from the CPU is an address strobe input signal compatible with a pipelined burst static random access memory (PBSRAM) protocol.
Verwendung des Ätzverfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10 zum Herstellen einer DRAM-Schaltung (dynamic random access memory - dynamischer Direktzugriffsspeicher) auf einem Halbleitersubstrat einschließlich Ätzen einer auf einer Siliziumnitrid-SiN-Schicht angeordneten Bor-Phosphor-Silicatglass-BPSG-haltigen Schicht.
Use of the etching method of any of the claims 1 to 10 for fabricating a dynamic random access memory circuit DRAM on a semiconductor substrate, including etching a borophosphosilicate glass BPSG-containing layer disposed on a silicon nitride SiN layer.
Nanomagnetismus Angeregte Phasenwechselmaterialien (phase change materials, PCM) sind führende Kandidaten für künftige Computerspeicher (random access memory, RAM) und wiederbeschreibbare optische Speicher (CD-RW, DVD-RW, Blu-ray Disc, u.s.w.
Phase change (PC) materials remain leading candidates for future computer random access memory (RAM) and rewritable storage devices (CD-RW, DVD-RW, Blu-ray Discs, etc.
Abkürzung für "random access memory" bzw. "wahlfreier Speicher".
RAM Abbrev. for "random access memory".
Alle Informationen werden aus dem Random Access Memory entfernt, sobald unsere Server das Ergebnis zurück an die Anwendung gesendet haben.
All information is removed from the RAM right after our servers send the result back to the application.
