The BS62LV1027 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 131,072 words by 8 bits and operates from a wide range of 2.4V to 5.5V supply voltage.
Das BS62LV1027 ist eine Hochleistung, sehr statischer Direktzugriffsspeicher CMOS der geringen Energie, der als 131.072 Wörter durch 8 Bits organisiert wird und funktioniert von einer breiten Palette von 2.4V zur Spannung der Versorgung 5.5V.
A programable logic device as recited in any of claims 4 to 12, wherein the dual mode memory block functions as static random access memory in the second mode.
Programmierbare Logikeinrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 12, wobei der Dual-Modus-Speicherblock im zweiten Modus als statischer Direktzugriffsspeicher funktioniert.
A memory as claimed in any preceding claim, being a static random access memory.
Static random access memory with address transition detector.
The apparatus of claim 5 wherein the central data bank means include a content-addressable memory (CAM) (32) for storing station addresses; and a first Static Random Access Memory (SRAM1) for storing signature information on LAN stations.
Die Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei das zentrale Datenbankmittel einen inhaltsadressierbaren Speicher (CAM) (32) zur Speicherung von Stationsadressen und einen ersten statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM 1) zur Speicherung von Signaturinformationen über LAN-Stationen enthält.
A circuit as claimed in claim 1 wherein the circuit comprises a synchronous static random access memory.
SRAM (Static Random Access Memory) is mainly used in high performance embedded computing, and in cache memory for processors and hard drives, where its high speed and low energy consumption is helpful.
SRAM (Statischer Direktzugriffsspeicher) wird hauptsächlich in der Hochleistung eingebetteten Datenverarbeitung und im Cache-Speicher für Prozessoren und Festplattenlaufwerke verwendet, in denen sein Hochgeschwindigkeits- und niedriger Energieverbrauch hilfreich ist.
Static random access memory for gate array devices.
Static random access memory device and manufacturing method therefor
Statischer RAM-Speicher und zugehöriges Herstellungsverfahren
The method of Claim 13, further comprising partitioning each of the columns of memory (102) into groups of memory cells (200), with each of the memory cells (200) being two port static random access memory.
Verfahren nach Anspruch 13, das ferner das Partitionieren jeder der einzelnen Speicherspalten (102) zu Speicherzellengruppen (200) umfasst, wobei jede der Speicherzellen (200) ein statischer Direktzugriffsspeicher mit zwei Ports ist.
The device as claimed in claim 1, wherein said main memory portion (101) comprises a dynamic random access memory (DRAM) and each of said sub memory portions comprises a static random access memory (SRAM).
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Hauptspeicherteil (101) einen dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) und jeder der Unterspeicherteile einen statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM) aufweist.
16 SRAM (Static Random Access Memory) devices are commonly used to demonstrate technology performance, process yield and chip reliability prior to high-volume manufacturing of processors and other logic chips using a new process technology.
16 SRAM (Static Random Access Memory)-Geräte werden im Allgemeinen dazu verwendet, vor der Großserienfertigung von Prozessoren und anderen logischen Chips mit einer neuen Fertigungstechnologie die Leistung, Ergiebigkeit und Chip-Zuverlässigkeit dieser Technologie zu testen.
The test system as recited in any preceding claim, wherein said memory module includes a plurality of Static Random Access Memory (SRAM) chips.