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memory cell array
Vertaling van "memory cell array" in Duits
Speicherzellenfeld
Speicherzellenarray
Speicherzellenanordnung
Speicherzellenmatrix
Speicherzellen-Array
Speicherzellen-Arrays
Redundanzspeicherzellenanordnung
Hauptspeicherzellenanordnung
Speicherzellen-Feld
Circuit to read information from and write information into a memory cell array
Schaltungsanordnung zum Lesen und Schreiben von Information an einem Speicherzellenfeld
Object of the invention is accordingly to provide a semiconductor memory having a plurality of memory cells, which in particular smaller programming voltages required, and a high-density memory cell array allows.
Aufgabe der Erfindung ist es demgemäß, einen Halbleiterspeicher mit einer Vielzahl von Speicherzellen anzugeben, welcher insbesondere kleinere Programmierspannungen benötigt und ein hochdichtes Speicherzellenfeld gestattet.
At power-up of the device all the circuit components can first initialize and all internal voltages are stabilized before access is granted to the memory cell array.
Bei Hochfahren des Bauelements können zunächst alle Schaltungskomponenten initialisiert sowie alle internen Spannungen stabilisiert werden, bevor der Zugriff auf das Speicherzellenarray freigegeben wird.
A non-volatile multi-state memory device according to claim 2, wherein the second type of digital data is an address data for indicating a storing address of the first type of digital data to be stored in the non-volatile memory cell array.
Nicht-flüchtige Mehrzustandspeichereinrichtung nach Anspruch 2, wobei die zweite Art von Digitaldaten Adreßdaten darstellt zum Angeben einer Speicheradresse der ersten Art von Digitaldaten, die in dem nicht-flüchtigen Speicherzellenarray zu speichern sind.
This object is achieved with a memory cell array of the type mentioned in that at least one trench to at least one side wall in the semiconductor substrate is present, the first address line runs along the trench on the side wall.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einer Speicherzellenanordnung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß zumindest ein Graben mit zumindest einer Seitenwand im Halbleitersubstrat vorhanden ist, wobei die erste Adreßleitung längs des Grabens an dessen Seitenwand verläuft.
A semiconductor integrated circuit as claimed in claim 1, further comprising a memory cell array (101) having a plurality of memory cells coupled to said data buses.
Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, weiterhin enthaltend eine Speicherzellenanordnung (101) mit einer Anzahl von mit den Datenbussen gekoppelten Speicherzellen.
Firstly, it is advantageous if data signals are involved various word lines of the memory cell array in the parity check.
Zum einen ist vorteilhaft, wenn Datensignale von verschiedenen Wortleitungen des Speicherzellenfeldes in die Paritätsüberprüfung miteinbezogen werden.
The first lines are thus those lines which connect in a memory cell array rows of memory cells.
Die ersten Leitungen sind somit solche Leitungen, die in einem Speicherzellenfeld Zeilen von Speicherzellen anschließen.
The transistor array device of claim 15 wherein said transistors of said array are part of a memory cell array.
Transistorarraybauelement nach Anspruch 15, wobei die Transistoren des Arrays Teil eines Speicherzellenarrays sind.
The non-volatile semiconductor device according to claim 10, wherein each reprogramming and retrieval circuit is selectively connected to a plurality of bit lines of the memory cell array via a bit line selection switch.
Nichtflüchtige Halbleitereinrichtung nach Anspruch 10, wobei jede Neuprogrammierungs- und Wiedergewinnungsschaltung selektiv mit einer Vielzahl von Bit-Leitungen des Speicherzellenarrays über einen Bit-Leitungsauswählschalter verbunden ist.
A nonvolatile memory device according to claim 1, further comprising a memory cell array wherein a plurality of the memory cells are arranged in a matrix.
Nichtflüchtige Speichervorrichtung nach Anspruch 1, die ferner eine Speicherzellenanordnung aufweist, in der mehrere Speicherzellen in einer Matrix angeordnet sind.
The storage of the data is carried out with about 5 V, a cell line of a memory cell array can be programmed within about 1 msec.
Das Einspeichern der Daten erfolgt etwa mit 5 V, wobei ein Zellenstrang einer Speicherzellenanordnung etwa innerhalb 1 msec programmiert werden kann.
The length of the grooves 5 is determined by the size of the memory cell array and is for example 130 microns.
Die Länge der Gräben 5 richtet sich nach der Größe der Speicherzellenanordnung und beträgt zum Beispiel 130 µm.
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Synoniemen voor memory cell array in het Engels
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