Examples with "outdiffusion from" and their translation in Duits
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Source region (13) and drain region (14) are formed, in particular, by outdiffusion from a doped glass layer (12).
Source-Gebiet (13) und Drain-Gebiet (14) werden insbesondere durch Ausdiffusion aus einer dotierten Glasschicht (12) gebildet.
Method according to Claim 7, in which the outdiffusion from the doped silicon layer (8) is carried out in such a way that the doped silicon layer is simultaneously oxidized.
Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Ausdiffusion aus der dotierten Siliziumschicht (8) so erfolgt, daß die dotierte Siliziumschicht gleichzeitig aufoxidiert wird.
Andere resultaten
A method as claimed in claim 1, wherein dopant is implanted in the emitter contact region (10) and the emitter zone (6) is formed by outdiffusion of dopant from the implanted emitter contact region.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei ein Dotierstoff in die Emitterkontaktzone (10) implantiert und die Emitterzone (6) durch Ausdiffussion des Dotierstoffs aus der implantierten Emitterkontaktzone gebildet wird.
N2O NITRIDED-OXIDE TRENCH SIDEWALLS TO PREVENT BORON OUTDIFFUSION AND DECREASE STRESS
TRENCH-SEITENWÄNDEN AUS N2O-NITRIERTEM OXID ZUR VERHINDERUNG VON BOR-AUSDIFFUSION UND ZUR STRESS-REDUZIERUNG
The method of any of claims 1 to 7, wherein said thermal oxidizing step is controlled to provide an outdiffusion of 100 nm into said silicon device layer portions (42).
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die thermische Oxidation so gesteuert ist, dass eine Ausdiffusion von 100 nm in die Silizium-Bauelemente-Schichtbereiche (42) stattfindet.
The barrier layer 508 may be made of any material and may have a sufficient thickness, the material and thickness suitable for preventing metal atoms in the metal interconnect outdiffusion.
Bei einer alternativen Ausführungsform besteht die Abstandshalter-bildende dielektrische Schicht In an layer 508508 kann aus einem solchen Material bestehen und eine solche Dicke haben, die dazu geeignet sind, ein Herausdiffundieren der Metallatome aus einer Metallverbindung zu inhibieren.
Method according to one of Claims 1 to 5, in which whole-area implantation with F, Ar, Xe or Si is carried out prior to the outdiffusion for the purpose of forming the source/drain regions (9) and the gate electrode (10).
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem vor der Ausdiffusion zur Bildung der Source/Drain-Gebiete (9) und der Gateelektrode (10) eine ganzflächige Implantation mit F, Ar, Xe oder Si durchgeführt wird.
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