Examples with "programming bit line" and their translation in Duits
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The memory circuit of claim 4 further characterized by: a separate programming bit line (59) coupled to said memory cell; and a separate programming word line (57) coupled to said memory cell.
Die Speicherschaltung nach Anspruch 4, ferner gekennzeichnet durch: eine separate Programmierbitleitung (59), angekoppelt an die Speicherzelle; und eine separate Programmierwortleitung (57), angekoppelt an die Speicherzelle.
Andere resultaten
A semiconductor non-volatile memory device according to any preceding claim, said device further comprising means for supplying a programming voltage to said bit lines (BL0, BL1, BLr) during the test mode and supplying a ground potential to said word lines.
Eine nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, welche Vorrichtung ferner ein Mittel umfaßt zum Zuführen einer Programmierspannung zu den genannten Bitleitungen (BL0, BL1, BLr) während des Testmodus und zum Zuführen eines Erdpotentials zu den genannten Wortleitungen.
According to the invention the voltage on the bit line of the cell being programmed during programming is monitored.
Gemäß der Erfindung wird die Spannung auf der Bitleitung der Zelle, die programmiert wird, während des Programmierens überwacht.
METHOD AND INTEGRATED CIRCUIT FOR BIT LINE SOFT PROGRAMMING (BLISP)
BETRIEBSVERFAHREN UND SCHALTUNG ZUR WEICHEN PROGRAMMIERUNG VON BITLEITWEGEN
The refresh pointer bit line either being read by the user and programmed line or is selected according to the programming of the user an increased line corresponds.
A method according to any preceding claim, wherein: said one additional programming operation is performed at said reduced level by raising a bit line voltage for said non-volatile storage element.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei: der eine zusätzliche Programmierschritt bei dem reduzierten Pegel ausgeführt wird durch Anheben der Spannung einer Bit-Leitung für das nicht-flüchtige Speicherelement.
The integrated circuit of claim 28, wherein at least one cell disposed on each defective bit line remains below a targeted threshold voltage level after a first number of programming cycles.
Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 28, wobei zumindest eine Zelle, welche auf jeder fehlerhaften Bitleitung angeordnet ist, nach einer ersten Anzahl von Programmzyklen unterhalb eines angestrebten Niveaus der Schwellwertspannung bleibt.
The non-volatile semiconductor device according to claim 29 wherein, in the multilevel logical operation mode, the first and the sixth transistors are turned on to pre-charge the selected bit line using the data stored in the second latch for retrieval for programming verification.
Nichtflüchtige Halbleitereinrichtung nach Anspruch 29, wobei im Mehrpegellogikbetriebsmodus der erste und sechste Transistor eingeschaltet werden zum voraufladen der ausgewählten Bit-Leitung unter Verwendung der in dem zweiten Latch zum Wiedergewinnen gespeicherten Daten zur Programmierungsverifizierung.
The integrated circuit of claim 20, wherein at least one of the defective bit lines requires greater charge injection from the soft programming pulse than each of the conforming bit lines to overcome an over-erased condition.
Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 20, wobei zumindest eine der fehlerhaften Bitleitungen eine Injizierung einer größeren Ladung von dem weichen Programmierimpuls erfordert als jede der ordnungsgemäßen Bitleitungen, um einen übermäßig gelöschten Zustand zu überwinden bzw. zu kompensieren.
Memory architecture according to Claim 14, characterised in that the means for successively supplying row selection signals bit line by bit line, for the selective programming of rows take into account the position bit of each of the words of the temporary memory.
Speicherarchitektur nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum sukzessiven, Bitleitungs-weisen Ausgeben der Zeilenauswahlsignale das Positionsbit jedes Wortes in dem temporären Speicher berücksichtigen, um zeilenselektiv zu programmieren.
The memory ciurcit of claim 5 wherein said bipolar transistor has a collector coupled to said programming word line and an emitter coupled to said read bit line.
Die Speicherschaltung nach Anspruch 5, bei der der Bipolartransistor einen Kollektor an die Programmierwortleitung angekoppelt aufweist und einen Emitter, angekoppelt an die Lesebitleitung.
CIRCUIT IMPLEMENTATION TO QUENCH BIT LINE LEAKAGE CURRENT IN PROGRAMMING AND OVER-ERASE CORRECTION MODES IN FLASH EEPROM
Method in accordance with claim 2 characterised in that it uses an external signal (DU) to start a discharge of the bit lines of the cell matrix between the end of the second, programming, phase and the beginning of the third, verification, phase.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass es ein externes Signal (DU) dazu verwendet, eine Entladung der Bitleitungen der Zellenmatrix zwischen dem Ende der zweiten, Programmierphase und dem Beginn und dritten, also der Verifizierphase zu beginnen.
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