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said semiconductor substrate

Vertaling van "said semiconductor substrate" in Duits

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Halbleitersubstrat des Halbleitersubstrats

des Halbleitersubstrates

das Halbleiter-Substrat

The device as claimed in claim 3, wherein said ion-implantation is obtainable during a rotation of said semiconductor substrate around a vertical center axis of said device.

Laser nach Anspruch 3, wobei die Ionenimplantation während einer Rotation des Halbleitersubstrats um eine vertikale Mittelachse des Lasers erzielbar ist.

An image sensor according to claim 1 or 2, wherein opposite conductivity type of impurities are implanted just below the surface of said semiconductor substrate (21).

Bildsensor nach Anspruch 1 oder 2, wobei entgegengesetzt leitende Störstellen direkt unter der Oberfläche des Halbleitersubstrats (21) eingepflanzt werden.

The method as recited in claim 5, wherein said thin oxygen-impervious layer (18) is formed in an anneal step of said semiconductor substrate.

Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die dünne sauerstoffundurchlässige Schicht (18) in einem Glühschritt des Halbleitersubstrates gebildet wird.

The microwave integrated circuit of claim 1 wherein said semiconductor substrate (8) ranges in thickness from 20 µm to 200 µm.

Integrierter Mikrowellen-Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Halbleitersubstrates (8) im Bereich von 20 µm bis 200 µm liegt.

A device according to claim 1, characterized in that first and second electrode layers (20, 21) are formed on a lower surface of said semiconductor substrate and on said second contact layer, respectively.

Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß erste und zweite Elektrodenschichten (20, 21) auf einer unteren Oberfläche des Halbleitersubstrates bzw. auf der zweiten Kontaktschicht gebildet sind.

An image sensor in accordance with claim 3, wherein: said potential barriers are impurity regions having an impurity concentration lower than that of said transfer region of said semiconductor substrate.

Bildsensor nach Anspruch 3, bei dem: die Potentialbarrieren Dotierstoffgebiete sind mit einer Dotierstoffkonzentration niedriger als die der Transfergebiete des Halbleitersubstrates.

A method according to claim 2, characterized in that said fourth step includes an etching process for etching the second surface of said semiconductor substrate after said lapping process.

Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß der vierte Schritt einen Ätzprozeß zum Ätzen der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats nach dem Schleifprozeß umfaßt.

A method according to claim 1, characterized in that said light to be absorbed by O₃ is directed substantially parallel to said surface of said semiconductor substrate.

Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das durch das O₃ zu absorbierende Licht im wesentlichen parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrats ausgerichtet wird.

The device as claimed in claim 1, further comprising a first-order grating with a constant pitch selectively provided on a part of said semiconductor substrate (1).

Vorrichtung nach Anspruch 1 mit weiterhin einem Gitter erster Ordnung mit einem konstanten Versatz, das selektiv auf einem Teil des Halbleitersubstrats (1) vorgesehen ist.

A semiconductor device as claimed in claim 18, comprising a transistor and said at least one active device region is formed at least at a peripheral portion of said semiconductor substrate.

Halbleitervorrichtung nach Anspruch 18 mit einem Transistor, wobei die mindestens eine aktive Vorrichtungsregion mindestens an einem Umfangsteil des Halbleitersubstrats ausgebildet ist.

The method as set forth in claim 2, further including the step of reducing the thickness of said semiconductor substrate by polishing the back surface of the substrate.

Verfahren nach Anspruch 2, das des Weiteren den Schritt zur Reduzierung der Dicke des Halbleitersubstrats durch Polieren der rückseitigen Oberfläche des Substrats umfasst.

The device as set forth in claim 2, wherein conductivity types of said first, second and third semiconductor regions are opposite to a conductivity type of said semiconductor substrate.

Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Leitfähigkeitstypen der ersten, der zweiten und der dritten Halbleiterbereiche entgegengesetzt zu einem Leitfähigkeitstyp des Halbleitersubstrats sind.

A method as claimed in claim 1, 2 or 3, wherein said diffusion coefficient for said first layer is at least several orders of magnitude greater that of said semiconductor substrate for said dopant impurities.

Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, in dem der Diffusionskoeffizient für die erste Schicht wenigstens mehrere Größenordnungen größer als der des Halbleitersubstrats für die Dotiersubstanzverunreinigungen ist.