Method of forming very small impurity regions in a semiconductor substrate.
Verfahren zum Herstellen sehr kleiner, mit Störstellen versehener Zonen in einem Halbleitersubstrat.
Lithographic process for semiconductor substrate, specifically for the treatment of a protrusion.
Lithografisches Verfahren für Halbleitersubstrat, insbesondere für die lokalisierte Behandlung eines hervorstehenden Teiles.
Method for forming an insulating film layer on a semiconductor substrate surface.
Verfahren zur Herstellung einer isolierenden Schicht auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats.
Process for producing a buried isolation layer in a semiconductor substrate by implantation.
Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Isolierschicht in einem Halbleitersubstrat durch Ionenimplantation.
Method of producing a conductor in a desired pattern on a semiconductor substrate.
Verfahren zum Herstellen eines Leiters mit einem gewünschten Muster auf einem Halbleitersubstrat.
Method for making a semiconductor substrate including a strained layer superlattice structure.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats mit einer Schicht mit Uebergitterstruktur mit Spannungsschicht.
Method of analyzing metal impurities in surface oxide film of semiconductor substrate.
Verfahren zur Analyse von Metallverunreinigungen in dem oberflächigen Oxidfilm eines Halbleitersubstrats.
Method for isolating regions of different impurity concentrations in a semiconductor substrate.
Verfahren zur Isolierung von Zonen mit Dotierungen von verschiedenen Konzentrationen in einem Halbleitersubstrat.
Method of fabricating wiring on a semiconductor substrate using a plating process.
Herstellungsverfahren von Verdrahtung über einem Halbleitersubstrat unter Verwendung eines Plattierungsverfahren.
Coupling device between waveguides monolithically integrated with a semiconductor substrate.
Koppler zwischen Wellenleitern, monolithbar auf einem Halbleitersubstrat integriert.
A process for producing a high purity oxide layer on a semiconductor substrate.
Verfahren um eine hochreine Oxydschicht auf einem Halbleitersubstrat herzustellen.
Method of etching and/or leveling the surface of a laminated semiconductor substrate.
Verfahren für die Ätzung und/oder Einebung eines mehrschichtigen Halbleitersubstrats.
Method of fabricating a trench structure in a semiconductor substrate.
Verfahren zur Herstellung einer Graberstruktur in einem Halbleitersubstrat.