Within the first few months, SOI had already mobilized some forty members.
Dès les premiers mois, le SOI mobilisait déjà une quarantaine de membres.
A specific technique of providing the SOI transistors is set forth.
L'invention décrit une technique particulière d'obtention des transistors SOI.
This process could be used for SOI or bulk wafers.
the method includes providing an SOI wafer that has
As a result, the thickness uniformness of the thin SOI layer can be enhanced.
Ceci permet d'améliorer l'uniformité d'épaisseur de la couche mince silicium sur isolant.
The resulting SOI wafer is then annealed at a high temperature, prior to device processing.
La plaquette en silicium sur isolant ainsi réalisée est ensuite frittée à haute température, avant la réalisation des composants.
a step of thinning the bond wafer into an SOI layer
une étape consistant à amincir la tranche de liaison en une couche de silicium sur isolant
by outer peripheral etching and contamination and damage to an SOI layer
par gravure périphérique externe, ainsi que la contamination et les dommages causés à la couche de silicium sur isolant
Thus, the SOI substrate having a continuous and uniform thin embedded oxide film layer can be efficiently manufactured.
Ainsi, le substrat de silicium sur isolant ayant une mince couche de film d'oxyde intégrée continue et uniforme peut être efficacement fabriqué.
It enables to fabricate high density transistors on SOI.
Celle-ci permet de fabriquer des transistors à forte densité sur SOI.
The method advantageously uses the SOI chip technology.
Le procédé met en oeuvre avantageusement la technologie des puces SOI.
The bonded SOI wafer is manufactured by growing the epitaxial layer.
La tranche de SOI liée est fabriquée par croissance de la couche épitaxiale.
The second trench stops in the SOI substrate.
La seconde tranchée s'arrête dans le substrat SOI.