Vertaling van "etch-stop" in Frans
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Across its thickness, the etch-stop material itself is uniform in composition.
An etch-stop layer may separate the first and second photoluminescent elements.
Une couche d'arrêt de gravure peut séparer les premier et second éléments photoluminescents.
electrodes, and at least one etch-stop layer
Here, there is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.
a first dopant is implanted into the semiconductor substrate through the exposed etch-stop layer
un premier dopant est implanté dans le substrat semi-conducteur à travers la couche d'arrêt de gravure exposée
Advantageously, certain example embodiments include a layer that acts as an etch-stop layer.
Avantageusement, certains modes de réalisations comprennent une couche qui agit comme une couche d'arrêt de gravure.
The remaining structure is then removed in another step to release the second etch-stop layer.
Le reste de la structure est ensuite ôté au cours d'une autre étape afin de libérer la seconde couche d'arrêt de gravure.
The utility layer can function as one or more of an etch-stop layer, a diffusion barrier layer, or an insulating layer.
Cette couche utilitaire peut fonctionner comme une couche d'arrêt de gravure, une couche barrière de diffusion ou une couche isolante.
The silicon device wafer, the etch-stop layer and the device layer are boron doped.
La plaquette de composants en silicium, la couche d'arrêt de gravure et la couche de composants sont dopées au bore.
The whole device is turned over and the nitride film is etched using an etch-stop layer, thus removing the handle wafer.
L'ensemble du dispositif est retourné et la pellicule de nitrure est gravée au moyen d'une couche d'arrêt de gravure, de manière à retirer la plaquette.
the etch-stop layer may optionally be processed to remove all or a part of the layer
la couche d'arrêt de gravure peut éventuellement être traitée afin d'être entièrement ou partiellement enlevée
During fabrication of the memory device, a tungsten silicide is utilized as an etch-stop layer in place of a conventionally used aluminum oxide to form channel pillars having a high aspect ratio.
Pendant la fabrication du dispositif mémoire, un siliciure de tungstène est utilisé comme couche d'arrêt de gravure à la place d'un oxyde d'aluminium utilisé conventionnellement pour former des piliers de canal ayant un facteur de forme élevé.
is applied to a monocrystalline semiconductor substrate, a polycrystalline base connection layer is produced on the etch-stop layer
sur un substrat semi-conducteur monocristallin, à produire une couche de connexion de base polycristalline sur cette couche d'arrêt de gravure