Examples with "structures semiconductrices comprenant" and their translation in Engels
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L'invention concerne des procédés de formation de structures semiconductrices comprenant une étape consistant à mettre en place du graphène par-dessus au moins un de deux substrats.
La présente invention concerne une structure semiconductrice comprenant un substrat, un aileron semiconducteur, un empilement de grille, une région de source/de drain et une base semiconductrice.
l'invention se rapporte à un procédé et à un appareil de phototension de jonction utilisés pour la détermination sans contact d'un paramètre électrique et/ou physique d'une structure semiconductrice comprenant au moins une jonction p-n située sur une surface, le procédé comprenant les étapes consistant à
the invention relates to a junction-photo voltage method and apparatus for contactless determination of an electrical and/or physical parameter of a semiconductor structure comprising at least one p-n junction located at a surface, wherein the method comprises the steps of
L'invention concerne une structure semiconductrice comprenant un substrat semiconducteur 12 portant une pluralité d'empilements de grille 14' situés sur une surface du substrat semiconducteur.
L'invention concerne, dans certains modes de réalisation, un procédé comprenant une étape consistant à faire croître une structure semiconductrice sur un substrat comprenant du silicium.
une structure de semiconducteur comprenant au moins un fusible, une résistance, une barrière de diffusion ou un condensateur à base de métal réfractaire-silicium-azote
a semiconductor structure includes at least one fuse, resistor, diffusion barrier or capacitor that is formed of refractory metal-silicon-nitrogen
L'invention concerne notamment un procédé comprenant une étape consistant à créer un état de claquage au niveau d'une structure de transistor à semiconducteur comprenant une région de recouvrement et une région de canal.
A method includes creating a breakdown condition at a semiconductor transistor structure that includes an overlap region and a channel region.
De préférence, l'appareil est formé sur une structure à semiconducteurs comprenant un matériau semiconducteur composite combiné à un matériau semiconducteur du groupe IV.
Preferably, the apparatus is formed on a semiconductor structure having a combination of compound semiconductor material and Group IV semiconductor material.
l'invention concerne une structure semiconductrice en couche mince comprenant une couche superficielle semiconductrice séparée d'un substrat support par une zone intermédiaire, la zone intermédiaire étant une multicouche isolant électriquement la couche superficielle semiconductrice du substrat support
the invention concerns a thin layered semiconductor structure comprising a surface semiconductor layer separated from a support substrate by an intermediate zone, said intermediate zone being a multilayer electrically insulating the surface semiconductor layer from the support substrate
STRUCTURE À SEMICONDUCTEUR COMPRENANT UN CONDENSATEUR DE TRANCHÉE ET UNE RÉSISTANCE DE TRANCHÉE
une structure de puce à semiconducteur comprenant une première région équipée de premières cellules pour l'enregistrement et le traitement de données, et une seconde région hors de la première, équipée de structures à correction de proximité optique (OPC) qui comportent des condensateurs de découplage
a structure for a semiconductor chip which includes a first region having first cells for storing and processing data, and a second region outside the first region having OPC structures, wherein the OPC structures comprise decoupling capacitors
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