Vertaling van "dry-etching" in Duits
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Process for dry-etching a semiconductor substrate
The method of any one of claims 15 to 25, wherein the lower ink chamber (131) is formed by isotropically dry-etching the substrate (110) exposed through the connection hole (133).
Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 25, wobei die untere Tintenkammer (131) durch isotropes Trockenätzen des Substrats (110), das durch den Verbindungsdurchtritt (133) freigelegt ist, ausgebildet wird.
Apparatus for dry-etching patterns on semiconductor materials
For dry-etching patterns on semiconductor materials
A method according to claim 1, wherein the dry-etching step of the other face of the wafer (10) is executed until the circuit chips have a thickness which is smaller than 50 µm and which is preferably 20 µm.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des Trockenätzens der anderen Seite des Wafers (10) so lange ausgeführt wird, bis die Schaltungschips eine Dicke haben, die kleiner als 50 µm ist und vorzugsweise 20 µm beträgt.
A method according to one of the claims 14 to 16, wherein step d) is carried out by dry-etching the structural wafer arrangement, the organic connecting layer (15) acting as an etch stop.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, bei dem der Schritt d) durch Trockenätzen der Strukturwaferanordnung ausgeführt wird, wobei die organische Verbindungsschicht (15) als Ätzstopp wirkt.
Method for anisotropically plasma dry-etching a silicon nitride layer with a gas mixture containing fluorine
Verfahren zum anisotropen plasmachemischen Trockenätzen von Siliziumnitrid-Schichten mittels eines Fluor-enthaltenden Gasgemisches
Method and apparatus for dry-etching half-tone phase-shift films, half-tone phase-shift photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and method for the fabrication thereof
Verfahren und Einrichtung zum Trockenätzen von Halbton-Phasenschieberschichten, Halbton-Phasenschieberphotomaske und Herstellungsverfahren dafür, Halbeiteranordung und Herstellungsverfahren dafür
A method according to claim 14, wherein, in said dry-etching process, said etching gas is activated with an energy selected from the group consisting of microwaves, high-frequency waves, and a UV radiation.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei beim Trockenätzen das Ätzgas durch eine Energie aktiviert wird, die ausgewählt ist aus Mikrowellen, Hochfrequenzwellen und UV-Strahlen.
Method of claim 8 wherein the etching steps of said silicon substrate comprise wet-etching using a 37.5% b. w. aqueous KOH (steps a, e, g) or dry-etching using chlorine or bromine chemistry (step c).
Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Schritte zum Ätzen des Siliciumsubstrates Naßätzen unter Verwendung von 37,5 Gew.-%igem wäßrigem KOH (Schritte a, e, g) oder Trockenätzen unter Verwendung einer Chlor- oder Brom-Chemie (Schritt c) beinhalten.
Machine-tools for dry-etching patterns on LCD substrates by electro-chemical processes or electron beam, ion beam or plasma arc processes
Werkzeugapparate für die Trockenätzung von Mustern auf Trägermaterialien für Flüssigkristallanzeigen durch elektrochemische Verfahren oder Elektronen-, Ionen- oder Plasmastrahl
A method according to claim 13, wherein said etching treatment is a dry-etching process using an etching gas selected from the group consisting of NF₃, carbon halide, SF₆, BCl₃, H₂, and an inert gas.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Ätzbehandlung ein Trockenätzen ist mit einem Inertgas der einem Ätzgas aus der Gruppe NF₃, Halogenkohlenstoff, SF₆, BCl₃, H₂.
The method of Claim 2, wherein the etching step is a step of dry-etching with a mixed gas of chlorine and oxygen.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Ätzschritt ein Schritt des Trockenätzens ist mit einem gemischten Gas aus Chlor und Sauerstoff.