Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Halbleiterschaltung eine Halbleiterschaltung ist, deren endgültige Funktion vom Benutzer bestimmt wird (Master-Slice Typ).
A semiconductor integrated circuit device as claimed in claim 1, characterized in that the semiconductor integrated circuit device is a master slice type integrated circuit device.
"Master-slice"-Halbleiteranordnung.
Verfahren zur Herstellung eines Verzögerungsgliedes in einer integrierten "Master-Slice"-Schaltung.
"Master-Slice"-Halbleiteranordnung.
Integrierte Halbleiter-Schaltungsvorrichtung vom Typ "Master-Slice".
Andere resultaten
Integriertes Schaltkreis-Bauelement vom Typ "Master Slice" und dessen Herstellungsverfahren.
Master slice type integrated circuit device and manufacturing method thereof.
Methode zur Herstellung einer integrierten, nach dem Master-Slice-Prinzip ausgelegten Schaltung.
Method of manufacturing master-slice integrated circuit device.
Halbleiterbauelement geeignet für eine "master slice" Behandlung und Herstellungsverfahren.
Semiconductor device adapted for a master slice approach and method for fabricating the same.
Stromversorgungssystem für Master slice integrierte Schaltung.
Master slice integrated circuit power supply system.
Speicher nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, der ein Speicher vom Master-Slice-Typ ist.
Integrierte Master-Slice-Schaltung nach Anspruch 1, wobei Anschlüsse, die die Signalanschlüsse und Spannungsversorgungsanschlüsse enthalten, mit gleichem Abstand angeordnet sind.
A master slice integrated circuit claimed in Claim 1 wherein pads including said signal pads and said power supply pads are arranged at the same pitch.
Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung des Master-Slice-Typs ist.
A semiconductor integrated circuit device as claimed in any of claims 1 to 8, characterized in that said semiconductor integrated circuit device is a master slice type semiconductor integrated circuit device.
Eine integrierte Halbleiterschaltung des Master-Slice-Typs nach Anspruch 1, bei der die leitfähige Gateelektrode des genannten P-Kanal-MOSFET und die leitfähige Gateelektrode des genannten N-Kanal-MOSFET in jedem der genannten Paare durch eine gemeinsame Elektrode integral gebildet sind.
A master slice type semiconductor integrated circuit as claimed in claim 1, wherein the conductive gate electrode of said P-channel MOSFET and the conductive gate electrode of said N-channel MOSFET in each of said pairs are integrally formed by a common electrode.
