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power InGaN LED
Examples with "power InGaN LED" and their translation in Duits
For over ten years, FOREPI has focused on pure-play manufacture of high power InGaN LED wafers and chips and has been a long-time user of AIXTRON systems for advanced high performance HB-LED product manufacture.
Seit mehr als zehn Jahren ist FOREPI auf die Herstellung InGaN-basierter Wafer und Chips für Hochleistungs-LEDs spezialisiert und langjähriger Anwender von AIXTRON Systemen in diesem Bereich.
Lattice Power placed its order in the fourth quarter of 2009 for the growth of high-power InGaN on silicon LEDs.
Die im vierten Quartal 2009 bestellten Anlagen werden für die Herstellung von InGaN-auf-Siliziumbasierten Hochleistungs-LEDs benötigt.
Lattice Power placed its order in the fourth quarter of 2009 for the growth of high-power InGaN on silicon LEDs.
Gitter Leistung legte seine Ordnung in das vierte Quartal von 2009 für das Wachstum von starkem InGaN auf Silikon LED.
FOREPI can provide a wide range of products including high power InGaN blue, green and near-UV LEDs.
Zu den zahlreichen Produktvarianten gehören unter anderem blaue, grüne und Nah-UV-Hochleistungs-LEDs.
(NYSE: VSH) today released two new series of warm white power SMD LEDs that utilize InGan technology to offer low resistance and high optical power.
(NYSE: VSH) präsentiert zwei neue Serien von Leistungs-SMD-LEDs mit warmweißer Farbe, die dank InGan-Technologie einen kleineren Wärmewiderstand aufweisen und eine höhere optische Leistung liefern.
Developers at Osram Opto Semiconductors have managed to reduce the typical forward voltages of green direct emitting InGaN LEDs by 600 mV to 2.6 V at power densities of 45 A/cm2.
Die Entwickler bei Osram Opto Semiconductors haben es geschafft, die typischen Vorwärtsspannungen grüner, direkt emittierender InGaN-LED bei Stromdichten von 45 A/cm2 um 600 mV auf 2,6 V zu senken.
We were able to demonstrate current-injection InGaN MQW LEDs at 410 nm with a maximum output power of 2.5 mW on m-plane GaN substrates.
Auf m-plane erreichen LED-Teststrukturen bei einer Wellenlänge von 410 nm eine Ausgangsleistung bis zu 2,5 mW.
When InGaN high bright LED was invented, LED has immediately become extremely useful for numerous applications.
As a result, the company is now the first to launch a commercially available native red indium gallium nitride (InGaN) LED epiwafer for micro-LED applications.
Infolgedessen ist das Unternehmen jetzt der erste, der einen im Handel erhältlichen nativen roten Indiumgalliumnitrid (InGaN) -LED-Epiwafer für Mikro-LED-Anwendungen auf den Markt brachte.
Forepi was incorporated in November 1999 as a dedicated pure-play manufacturer of high brightness InGaN LED wafers and chips.
Forepi wurde im November 1999 gegründet - ursprünglich als klassischer Hersteller von LED-Wafern und -Chips auf InGaN-Basis.
It can drive up to 3 LEDs in series at 1 A forward current, with the single LED forward voltage of approximately 3.7 V (Typical of white, blue, and green LEDs using InGaN technology).
Er kann bis zu 3 LEDs in Reihe mit 1 A Durchlassstrom ansteuern, mit der Einzel-LED-Durchlassspannung von ungefähr 3,7 V (typisch für weiße, blaue und grüne LEDs bei Nutzung der InGaN-Technologie).
Blue and green colors can be achieved by using InGaN LEDs.
Blaue und grüne Farben können unter Verwendung von InGaN-LEDs erhalten werden.
Until recently, these efficiency values seemed unattainable for green direct emitting InGaN LEDs.
Diese Effizienzwerte schienen bei direkt grün emittierenden InGaN-LED noch bis vor kurzem unerreichbar.
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Synoniemen voor power InGaN LED in het Engels
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