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said first diffusion layer
Examples with "said first diffusion layer" and their translation in Duits
The illuminated sign plate of claim 1 wherein there exists a second diffusion layer located between said first diffusion layer and the light translucent layer.
Illuminierte Sichtzeichenplatte nach Anspruch 1, wobei eine zweite Diffusionsschicht vorhanden ist, die zwischen der ersten Diffusionsschicht und der lichtdurchlässigen Schicht angeordnet ist.
A semiconductor memory device as claimed in claim 3, characterized in that said first diffusion layer is bent and extended in a direction parallel to said word line.
Halbleiter-Speichervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Diffusionsschicht gekrümmt ist und sich in eine Richtung erstreckt, die im rechten Winkel zur Wortzeile angeordnet ist.
An input/output protection circuit (100) according to claim 1, characterized in that said first diffusion layer (30D) of said transistor and said third diffusion layer (40P) of said diode (40) are connected to each other.
Eingangs/Ausgangsschutzschaltung (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Diffusionslage (30D) des Transistors und die dritte Diffusionslage (40P) der Diode (40) miteinander verbunden sind.
A charge transfer device of Claim 1, wherein the ratio of impurity concentration of said first diffusion layer and said second diffusion layer is about 1.3 times.
Ladungsübertragungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Verhältnis einer Störstellenkonzentration der ersten Diffusionsschicht und der zweiten Diffusionsschicht etwa 1,3-mal beträgt.
Andere resultaten
A semiconductor device according to claim 1, wherein said third diffusion layer is formed on a line nearly orthogonal to the line linking said first and second diffusion layers (27a,27b).
Eine Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die dritte Diffusionsschicht auf einer Linie ausgebildet ist, die nahezu senkrecht ist zu der die erste und zweite Diffusionsschicht (27a, 27b) verbindenden Linie ist.
A semiconductor device manufacturing method according to claim 4 wherein: doping of said impurity (19) for forming said first embedded diffusion layer (20) is carried out by solid-phase diffusion.
Halbleiterelement-Herstellungsverfahren nach Anspruch 4, wobei: das Dotieren der Verunreinigung (19) zum Bilden der ersten eingebetteten Diffusionsschicht (20) durch Festkörperphasendiffusion ausgerührt wird.
The method of claim 13, wherein the thickness of said second diffusion barrier layer (17b) is formed thicker than that of said first diffusion barrier layer (17a).
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Diffusionssperrschicht (17b) so ausgebildet wird, dass ihre Dicke größer als die der ersten Diffusionssperrschicht (17a) ist.
The method of claim 1, wherein: said forming of step (b) includes high temperature diffusion of oxygen through said first layer oxygen-diffusion barrier.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden in Schritt (b) eine Hochtemperaturdiffusion von Sauerstoff durch die erste Schicht aus der Sauerstoffdiffusionsbarriere aufweist.
A semiconductor memory device as claimed in claim 2, characterized in that said first wiring pattern is patterned and arranged so as to connect said capacitor contact with a first diffusion layer.
Halbleiter-Speichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Verdrahtungsmuster so bemustert und angeordnet ist, dass es den Kondensatorkontakt mit einer ersten Diffusionsschicht verbindet.
A semiconductor circuit device as claimed in Claim 1, characterized in that said semiconductor substrate comprises a diffusion layer (50-1) formed under said first and said second resistors.
Halbleiterschaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitersubstrat eine Diffusionsschicht (50-1) aufweist, die unter dem ersten und dem zweiten Widerstand ausgebildet ist.
A semiconductor device according to claim 17, wherein said further semiconductor layer (42) is constituted by a diffusion layer formed by diffusing impurity ions from said first silicon layer having the higher impurity concentration into the wide band-gap semiconductor material layer.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 17, worin die weitere Halbleiterschicht (42) aus einer Diffusionsschicht besteht, die durch Diffusion von Verunreinigungsionen aus der ersten Siliziumschicht mit der höheren Verunreinigungskonzentration in die Schicht aus Halbleitermaterial mit großem Bandabstand gebildet wird.
The laser according to claim 7, characterized in that said intermediate band-gap layer (22) has a carrier concentration ten times or more that in said second region thereof in said first region where said intermediate band-gap layer and said diffusion layer overlap each other.
Laser nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenbandabstandsschicht (22) im ersten Bereich, in welchem die Zwischenbandabstandsschicht und die Diffusionsschicht einander überlappen, eine Trägerkonzentration aufweist, die das Zehnfache oder mehr derjenigen in ihrem zweiten Bereich beträgt.
The method according to claim 22, characterized in that a diffusion layer (64) of the second conductivity type is formed in said current-blocking layer (62) in such a manner that said diffusion layer partially overlaps said first contact layer (32).
Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß in der Stromsperrschicht (62) eine Diffusionsschicht (64) des zweiten Leitungstyps in der Weise geformt wird, daß die Diffusionsschicht die erste Kontaktschicht (32) teilweise überlappt.
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