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the cell programming operation
Examples with "the cell programming operation" and their translation in Duits
In the cell programming operation, an internal program pulse counter (not depicted) is initialized.
Beim Zellenprogrammiervorgang wird ein interner Programmierimpulszähler (nicht gezeigt) gestartet bzw. initialisiert.
Andere resultaten
Semiconductor non-volatile programmable memory device preventing non-selected memory cells from disturb during programming operation
Programmierbare nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung, die Störungen während des Programmierens verhindert
Method according to claim 3, in which said margin read condition is a read condition adopted to verify a programmed status of a memory cell in an electrical programming operation.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei der grenzwertige Lesevorgang ein Lesevorgang ist, der zum Verifizieren eines Programmierstatus einer Speicherzelle in einem elektrischen Programmiervorgang verwendet wird.
Support for low-level programming operations involving cells and coordinates.
Low-Level-Operationen zur Programmierung von Zellen und Koordinaten.
Cell The Cell programming option is optimized for keyboard layouts with few keys.
Cell Die Cell Programmieroption ist für kleine Tastenfelder optimiert.
Each memory cell can be switched between a deleted and a written state by a programming operation.
Jede Speicherzelle ist durch einen Programmiervorgang zwischen einem gelöschten und einem beschriebenen Zustand schaltbar.
The memory cell (10) is then subjected to a programming operation.
Anschließend wird die Speicherzelle (10) einem Programmiervorgang unterworfen.
If the cells are programmed, the operation has been completed successfully. If the cells are not programmed and has not yet reached the maximum number of pulses, another programming pulse is applied to the cells.
Sind die Zellen programmiert, ist der Vorgang erfolgreich ausgeführt Sind die Zellen nicht programmiert und ist die maximale Anzahl von Impulsen noch nicht erreicht, wird ein weiterer Programmierimpuls an die Zellen angelegt.
For example, memory program operations for flash memory systems typically require the application of a relatively large positive voltage to a selected one of the word lines of the flash cell array, running the programming operation.
Speicherprogrammiervorgänge für Flash-Speichersysteme erfordern zum Beispiel meist das Anlegen einer relativ hohen positiven Spannung an eine bestimmte Wortleitung des Flash-Zellenfelds, um einen Programmiervorgang auszuführen.
Each time operations are performed, e.g. programming and erasing the cell, the oxide layer that traps electrons on the floating gate wears.
Jedes Mal, wenn Operationen auf einer SSD ausgeführt werden, wie beispielsweise Beschreiben oder Löschen der Zelle, wird die Oxidschicht, die die Elektronen auf dem Floating Gate gefangen hält, geschwächt.
The method of claim 6 wherein the step of initiating a programming operation is characterized by applying the programming voltage to memory cells in the array (12) to be programmed.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Schritt zum Einleiten eines Programmiervorgangs durch Anlegen der Programmierspannung an zu programmierende Speicherzellen in dem Feld (12) gekennzeichnet ist.
A divider circuit as claimed in Claim 4, characterized in that said enabling signal is obtained from a logical "AND" operation between the programming and enabling signals of the cell of a higher rank i+1.
Teilerschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man das genannte Freigabesignal durch eine UND-Verknüpfung zwischen den Programmier- und den Freigabesignalen der Zelle von höherem Rang i+1 erhält.
If the whole programming operation is performed within a time span of 1-10 it is possible to guarantee the consistency of the electric properties (threshold voltage or resistance) of all the memory cells and their reference cell(s).
Sofern die gesamte Programmieroperation innerhalb einer Zeitspanne von 1-10 ausgeführt wird, ist es möglich, die Konsistenz der elektri schen Eigenschaften (Schwellenspannung oder Widerstand) sämtlicher Speicherzellen und ihrer Referenzzellen zu garantieren.
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